| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 ZnO材料的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 ZnO材料的气敏性能 | 第14-15页 |
| 1.5 ZnO材料的氢敏性能 | 第15-16页 |
| 1.6 立题依据与研究内容 | 第16-17页 |
| 1.6.1 立题依据 | 第16-17页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第17页 |
| 1.7 本章小结 | 第17-19页 |
| 2 ZnO:Cd纳米棒阵列的制备 | 第19-27页 |
| 2.1 ZnO:Cd纳米棒阵列的制备方法 | 第19-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射法基本原理及应用 | 第19-21页 |
| 2.1.2 水热法基本原理及应用 | 第21-22页 |
| 2.2 ZnO:Cd纳米棒阵列的制备 | 第22-25页 |
| 2.2.1 ZnO种子层的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 实验仪器与设备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 薄膜的制备流程及参数 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 3 ZnO:Cd纳米棒阵列薄膜的性能表征 | 第27-35页 |
| 3.1 X射线衍射(XRD)表征分析 | 第27-29页 |
| 3.2 薄膜表面形貌分析 | 第29-31页 |
| 3.3 薄膜厚度的测试分析 | 第31-32页 |
| 3.4 透射光谱的测试分析 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 ZnO:Cd纳米棒阵列光学氢敏性能研究 | 第35-45页 |
| 4.1 传感器件的制备 | 第35页 |
| 4.2 测试原理及流程 | 第35-36页 |
| 4.3 不同Cd掺杂浓度ZnO:Cd纳米棒阵列的光学氢敏性能分析 | 第36-39页 |
| 4.4 不同生长时间ZnO:Cd-2 纳米棒薄膜的光学氢敏性能分析 | 第39-43页 |
| 4.4.1 不同生长时间对ZnO:Cd纳米棒阵列长度的影响 | 第39-40页 |
| 4.4.2 不同生长时间ZnO:Cd-2 纳米棒阵列XRD分析 | 第40-41页 |
| 4.4.3 不同生长时间ZnO:Cd纳米棒阵列薄膜表面形貌的分析 | 第41-42页 |
| 4.4.4 不同生长时间的ZnO:Cd纳米棒阵列的光学氢敏性能分析 | 第42-43页 |
| 4.5 光学气敏机理分析 | 第43-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 结论与展望 | 第45-47页 |
| 5.1 本文主要结论 | 第45页 |
| 5.2 创新点 | 第45-46页 |
| 5.3 展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表论文及科研情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
