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电子束提纯多晶硅过程中杂质的传输与去除机制研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
主要符号表第19-22页
1 绪论第22-41页
    1.1 多晶硅材料的巨大需求第22-24页
    1.2 太阳能电池对硅材料纯度的要求第24-27页
    1.3 高纯硅材料制备技术第27-32页
    1.4 电子束熔炼制备太阳能级多晶硅的研究现状第32-38页
        1.4.1 电子束熔炼技术的特征第32-33页
        1.4.2 杂质去除效果第33-35页
        1.4.3 杂质去除机制第35-36页
        1.4.4 电子束熔炼过程的数值模拟第36-37页
        1.4.5 小功率、浅熔池熔炼方式第37-38页
    1.5 本论文的研究目标及内容第38-41页
2 硅中杂质去除的热力学第41-54页
    2.1 引言第41页
    2.2 硅中杂质的热力学特性第41-47页
        2.2.1 杂质的蒸发特性第41-45页
        2.2.2 杂质的分凝特性第45-47页
        2.2.3 杂质的氧化特性第47页
    2.3 冶金法去除硅中杂质的本质第47-53页
    2.4 本章小结第53-54页
3 电子束熔炼下硅中蒸发性杂质的去除机制研究第54-79页
    3.1 引言第54页
    3.2 杂质蒸发去除过程的传质动力学第54-67页
        3.2.1 传输控制模型第54-57页
        3.2.2 液相边界层传质第57-60页
        3.2.3 熔体表面蒸发传质第60-62页
        3.2.4 气相传质第62-64页
        3.2.5 总传质系数第64-67页
    3.3 总传质系数的实验验证第67-72页
        3.3.1 实验设备与方法第67-68页
        3.3.2 总传质系数的实验值第68-70页
        3.3.3 实验结果与理论结果的比较第70-72页
    3.4 硅的蒸发损失第72-77页
        3.4.1 传输控制模型第72-74页
        3.4.2 杂质去除率与硅剩余率的关系第74-77页
    3.5 本章小结第77-79页
4 电子束诱导硅定向凝固过程中杂质的去除机制研究第79-99页
    4.1 引言第79页
    4.2 杂质蒸发和分凝的耦合机制第79-86页
        4.2.1 理论模型第80-84页
        4.2.2 杂质去除的影响因素第84-86页
    4.3 电子束诱导硅定向凝固时铝和钙的去除第86-96页
        4.3.1 实验方法第88-89页
        4.3.2 铝和钙在硅锭中的分布第89-91页
        4.3.3 熔炼过程中铝和钙的去除第91-92页
        4.3.4 凝固过程中铝和钙的去除第92-94页
        4.3.5 与传统电子束熔炼方式的比较第94-96页
    4.4 电子束诱导硅定向凝固时铁的分凝第96-97页
    4.5 本章小结第97-99页
5 电子束熔炼提纯多晶硅的产业化应用研究第99-125页
    5.1 引言第99-100页
    5.2 实验设备与方法第100-105页
        5.2.1 实验设备第100-103页
        5.2.2 实验方法第103-105页
    5.3 杂质去除效果分析第105-111页
        5.3.1 磷的去除效果第105-110页
        5.3.2 金属杂质的去除效果第110-111页
    5.4 电子束熔炼的工艺优化第111-123页
        5.4.1 熔炼过程中的能量平衡第112-114页
        5.4.2 硅熔体中的温度分布第114-117页
        5.4.3 磷去除效果的比较第117-121页
        5.4.4 熔炼过程的总能耗第121-123页
    5.5 本章小结第123-125页
6 结论与展望第125-128页
    6.1 结论第125-126页
    6.2 创新点第126-127页
    6.3 展望第127-128页
参考文献第128-136页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第136-140页
致谢第140-141页
作者简介第141页

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