首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

多谷硅量子点中的库仑阻塞

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
主要符号对照表第11-12页
第一章 绪论第12-24页
    1.1 量子点与量子计算第12页
    1.2 硅中的谷自由度和谷-轨道耦合第12-15页
        1.2.1 硅的优点第12页
        1.2.2 谷自由度第12-13页
        1.2.3 谷-轨道耦合第13-15页
    1.3 库仑阻塞现象第15-22页
        1.3.1 定性描述第15页
        1.3.2 定量描述第15-22页
    1.4 本文结构第22-24页
第二章 量子动力学方法的推广第24-32页
    2.1 主方程第24-26页
    2.2 运动方程第26-28页
    2.3 电导的表达式第28-32页
第三章 推广方法的应用第32-50页
    3.1 含谷自由度的硅单量子点第32-42页
        3.1.1 多粒子波函数第32-33页
        3.1.2 N-电子哈密顿量第33-34页
        3.1.3 N-输运的能量本征系统第34-37页
        3.1.4 谷-轨道耦合相位对库仑振荡的影响第37-42页
    3.2 双量子点第42-50页
        3.2.1 理论模型的修正第42页
        3.2.2 一个简单的体系第42-50页
第四章 总结和展望第50-52页
    4.1 运动学方法的推广第50页
    4.2 多谷硅单量子点第50页
    4.3 多谷硅双量子点第50-52页
参考文献第52-56页
附录A 一个积分的计算第56-58页
附录B 从时间积分到狄拉克δ函数第58-60页
附录C 单量子点中关键能量值的估计第60-64页
附录D Wolfram Mathematica~(?)计算程序示例第64-68页
致谢第68-70页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:TRMM PR的弱降水观测评估
下一篇:2,3,5,6-Tetra(2-pyridyl)pyrazine分子在Au(111)表面自组装结构的扫描隧道显微术研究