| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·铁电材料及其基本性质 | 第11-13页 |
| ·晶体的铁电性 | 第11页 |
| ·晶体的电滞回线与电畴 | 第11-13页 |
| ·铁电薄膜材料的导电机理 | 第13-15页 |
| ·欧姆传导机制 | 第13页 |
| ·空间电荷限制传导机制 | 第13-14页 |
| ·PF发射机制 | 第14页 |
| ·FN隧道效应 | 第14-15页 |
| ·铁电薄膜的制备技术及特点 | 第15-17页 |
| ·薄膜材料的结构与缺陷 | 第17-19页 |
| ·薄膜材料的结构 | 第17-18页 |
| ·薄膜材料的缺陷 | 第18-19页 |
| ·BFO的结构与性能 | 第19-20页 |
| ·BFO基薄膜的研究进展 | 第20-24页 |
| ·元素掺杂改性 | 第21-23页 |
| ·控制薄膜取向 | 第23页 |
| ·形成异质结构 | 第23-24页 |
| ·SBTO的结构与性能 | 第24-25页 |
| ·本课题的研究对象及主要内容 | 第25-27页 |
| ·研究对象的选择 | 第25页 |
| ·本论文的研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 实验方案设计与研究方法 | 第27-34页 |
| ·实验原料及仪器设备 | 第27-28页 |
| ·溶胶-凝胶法制备薄膜样品 | 第28-30页 |
| ·衬底的清洗与预处理 | 第28-29页 |
| ·前驱体溶液制备阶段 | 第29页 |
| ·湿膜的制备阶段 | 第29-30页 |
| ·热处理成膜阶段 | 第30页 |
| ·薄膜表征技术 | 第30-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| ·电学性能测试仪 | 第31-34页 |
| 第3章 Bi过量对BFO薄膜结构和性能的影响 | 第34-41页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·Bi过量对BFO薄膜晶体结构的影响 | 第34-35页 |
| ·Bi过量对BFO薄膜微观形貌的影响 | 第35-36页 |
| ·Bi过量对BFO薄膜漏电性能的影响及漏电机制分析 | 第36-38页 |
| ·Bi过量对BFO薄膜铁电性能的影响 | 第38-39页 |
| ·Bi过量对BFO薄膜介电性能的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 Sr掺杂对BFMO薄膜结构和性能的影响 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·Sr掺量对BFMO薄膜结构和性能的影响 | 第41-45页 |
| ·Sr掺量对BFMO薄膜结构的影响 | 第41-42页 |
| ·Sr掺量对BFMO薄膜铁电特性的影响 | 第42-43页 |
| ·Sr掺杂对BFMO薄膜漏电性能的影响及漏电机制分析 | 第43-45页 |
| ·退火温度对BSFMO薄膜结构和性能的影响 | 第45-48页 |
| ·退火温度对BSFMO薄膜晶体结构的影响 | 第45-46页 |
| ·退火温度对BSFMO薄膜铁电性能的影响 | 第46-47页 |
| ·退火温度对BSFMO薄膜介电性能的影响 | 第47-48页 |
| ·BSFMO薄膜老化性能的研究 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 SBTO过渡层对BSFMO薄膜漏电的抑制 | 第51-57页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·过渡层与薄膜之间的品格适配分析 | 第51-52页 |
| ·不同厚度SBTO过渡层对BSFMO薄膜结构的影响 | 第52-54页 |
| ·不同厚度SBTO过渡层对BSFMO薄膜漏电特性的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第6章 结论 | 第57-59页 |
| ·主要结论 | 第57页 |
| ·主要创新点 | 第57-58页 |
| ·工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第70页 |
