| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·GaSb材料基本性质 | 第6-9页 |
| ·锑化物材料的发展现状 | 第9-13页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第13-14页 |
| 第二章 MBE外延技术及材料表征手段 | 第14-27页 |
| ·MBE的起源与发展 | 第14-15页 |
| ·MBE系统的主要结构及作用 | 第15-19页 |
| ·分子束外延的生长过程 | 第19-21页 |
| ·材料相关表征手段 | 第21-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章p型GaSb薄膜掺杂调控及物性研究 | 第27-38页 |
| ·p型GaAs薄膜外延生长及测试分析 | 第28-30页 |
| ·p型GaSb薄膜掺杂调控及物性分析 | 第30-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章n型GaSb薄膜掺杂调控及物性研究 | 第38-47页 |
| ·n型GaAs薄膜外延生长及测试分析 | 第38-40页 |
| ·n型GaSb薄膜掺杂调控及物性分析 | 第40-44页 |
| ·n型GaSb薄膜EDS测试结果及分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论与展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |