| 中文摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第12-14页 |
| ·课题的研究背景 | 第12-13页 |
| ·课题的研究意义 | 第13-14页 |
| ·课题的研究现状 | 第14-16页 |
| ·薄膜热电偶的发展及应用 | 第14-15页 |
| ·薄膜工艺的研究现状 | 第15-16页 |
| ·薄膜制备技术简介 | 第16-20页 |
| ·真空蒸镀法 | 第17-18页 |
| ·溅射镀膜法 | 第18-19页 |
| ·离子镀膜技术 | 第19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·课题的研究内容及方法 | 第20-22页 |
| ·课题的研究内容 | 第20页 |
| ·课题的研究方法 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜制备方法及测试设备 | 第22-32页 |
| ·射频磁控溅射的原理及特点 | 第22-24页 |
| ·磁控溅射 | 第22-23页 |
| ·射频磁控溅射 | 第23-24页 |
| ·薄膜的制备 | 第24-27页 |
| ·镀膜材料及设备 | 第24-25页 |
| ·薄膜的制备工艺参数 | 第25-26页 |
| ·薄膜的溅射过程 | 第26-27页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第27-31页 |
| ·显微组织表征 | 第27-30页 |
| ·物理性能表征 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 制备工艺参数对薄膜导电性能的影响 | 第32-48页 |
| ·薄膜临界尺寸的确定 | 第32-34页 |
| ·Cu薄膜的临界尺寸 | 第32-33页 |
| ·CuNi薄膜的临界尺寸 | 第33-34页 |
| ·正交试验设计 | 第34-37页 |
| ·正交试验的基本思想 | 第35页 |
| ·正交试验设计 | 第35-37页 |
| ·正交试验结果分析 | 第37-41页 |
| ·直观分析 | 第37-39页 |
| ·方差分析 | 第39-41页 |
| ·试验结果微观组织分析 | 第41-47页 |
| ·金属薄膜的电导机理 | 第41-42页 |
| ·薄膜微观组织分析 | 第42-47页 |
| ·最佳工艺组合验证性试验 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 热处理工艺对薄膜导电性能的影响 | 第48-58页 |
| ·金属的热处理 | 第48-49页 |
| ·热处理工艺简介 | 第48页 |
| ·金属热处理方法 | 第48-49页 |
| ·退火试验设计 | 第49-50页 |
| ·样品制备 | 第49页 |
| ·退火试验 | 第49-50页 |
| ·试验结果表征与分析 | 第50-57页 |
| ·XRD表征 | 第50-53页 |
| ·SEM表征 | 第53-55页 |
| ·电阻率的测量分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 薄膜导电性对Cu/CuNi薄膜热电偶灵敏度的影响 | 第58-71页 |
| ·薄膜热电偶的热电性能 | 第58-63页 |
| ·热电偶的工作原理 | 第58-61页 |
| ·薄膜热电偶的热电性能 | 第61-63页 |
| ·T型薄膜热电偶的制备及标定方法 | 第63-66页 |
| ·薄膜热电偶的制备过程 | 第63-64页 |
| ·T型薄膜热电偶灵敏度的标定方法 | 第64-66页 |
| ·制备工艺对热电偶灵敏度的影响 | 第66-67页 |
| ·退火工艺对热电偶灵敏度的影响 | 第67-69页 |
| ·灵敏度与薄膜电阻率间的关系 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 结论与展望 | 第71-73页 |
| ·研究结论 | 第71-72页 |
| ·未来展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |