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低维体系轨道、自旋和电荷有序行为的相关研究

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第1章 绪论第11-48页
   ·引言第11-20页
     ·低维体系的研究背景第11-12页
     ·几种典型低维电子系统第12-20页
   ·轨道有序尖晶石化合物MgTi_2O_4第20-37页
     ·MgTi_2O_4的晶体结构第20-24页
     ·MgTi_2O_4的电子结构第24-31页
     ·MgTi_2O_4物理性质研究第31-37页
   ·自旋有序尖晶石化合物CaTi_2O_4第37-41页
     ·CaTi_2O_4的晶体结构第37-38页
     ·CaTi_2O_4的电子结构第38-40页
     ·CaTi_2O_4物理性质研究第40-41页
   ·电荷有序化合物Rb_(0.3)MoO_3第41-46页
     ·Rb_(0.3)MoO_3晶体结构第41-44页
     ·Rb_(0.3)MoO_3物理性质第44-46页
   ·低维有序体系中相关物理问题第46-47页
   ·论文的安排第47-48页
第2章 准一维轨道有序MgTi_2O_4的制备、结构和物理性质研究第48-87页
   ·引言第48-49页
   ·多晶制备、成分与结构表征第49-52页
   ·MgTi_2O_4输运性质研究第52-69页
     ·电输运实验原理,装置与实验方法第52-53页
     ·MgTi_2O_4 R-T基本电输运性质第53-57页
     ·MgTi_2O_4的变温V-I伏安特性第57-67页
     ·MgTi_2O_4的变温Ⅰ-Ⅴ伏安特性第67-69页
   ·MgTi_2O_4比热研究第69-85页
     ·比热实验原理,装置与实验方法第69-70页
     ·MgTi_2O_4低温比热研究第70-76页
     ·MgTi_2O_4相变区域的熵变和剩余比热的分析第76-79页
     ·MgTi_2O_4相变区域比热与磁化率的标度关系第79-81页
     ·MgTi_2O_4相变区域临界行为分析第81-85页
   ·本章小结第85-87页
第3章 准一维自旋有序CaTi_2O_4的制备和磁性质研究第87-110页
   ·引言第87页
   ·CaTi_2O_4单晶生长、成分与结构表征第87-92页
   ·CaTi_2O_4磁性研究第92-109页
     ·磁性测量实验原理,装置与实验方法第92-93页
     ·多晶CaTi_2O_4基本磁性第93-95页
     ·单晶CaTi_2O_4磁性各向异性及低维化异常第95-99页
     ·变场下的单晶CaTi_2O_4变温磁化率及各向异性变化第99-109页
   ·本章小结第109-110页
第4章 准一维电荷有序Rb_(0.3)MoO_3体系的制备、结构和物理性质研究第110-123页
   ·引言第110-111页
   ·Rb_(0.3)MoO_3单晶生长、成分与结构表征第111-113页
   ·实验方法和过程第113页
   ·Rb_(0.3)MoO_3体系电子结构研究第113-117页
   ·Rb_(0.3)MoO_3体系热电势研究第117-122页
   ·本章小结第122-123页
第5章 全文总结第123-125页
参考文献第125-133页
攻读博士期间已发表和投稿论文第133-134页
致谢第134页

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