摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第1章 绪论 | 第11-48页 |
·引言 | 第11-20页 |
·低维体系的研究背景 | 第11-12页 |
·几种典型低维电子系统 | 第12-20页 |
·轨道有序尖晶石化合物MgTi_2O_4 | 第20-37页 |
·MgTi_2O_4的晶体结构 | 第20-24页 |
·MgTi_2O_4的电子结构 | 第24-31页 |
·MgTi_2O_4物理性质研究 | 第31-37页 |
·自旋有序尖晶石化合物CaTi_2O_4 | 第37-41页 |
·CaTi_2O_4的晶体结构 | 第37-38页 |
·CaTi_2O_4的电子结构 | 第38-40页 |
·CaTi_2O_4物理性质研究 | 第40-41页 |
·电荷有序化合物Rb_(0.3)MoO_3 | 第41-46页 |
·Rb_(0.3)MoO_3晶体结构 | 第41-44页 |
·Rb_(0.3)MoO_3物理性质 | 第44-46页 |
·低维有序体系中相关物理问题 | 第46-47页 |
·论文的安排 | 第47-48页 |
第2章 准一维轨道有序MgTi_2O_4的制备、结构和物理性质研究 | 第48-87页 |
·引言 | 第48-49页 |
·多晶制备、成分与结构表征 | 第49-52页 |
·MgTi_2O_4输运性质研究 | 第52-69页 |
·电输运实验原理,装置与实验方法 | 第52-53页 |
·MgTi_2O_4 R-T基本电输运性质 | 第53-57页 |
·MgTi_2O_4的变温V-I伏安特性 | 第57-67页 |
·MgTi_2O_4的变温Ⅰ-Ⅴ伏安特性 | 第67-69页 |
·MgTi_2O_4比热研究 | 第69-85页 |
·比热实验原理,装置与实验方法 | 第69-70页 |
·MgTi_2O_4低温比热研究 | 第70-76页 |
·MgTi_2O_4相变区域的熵变和剩余比热的分析 | 第76-79页 |
·MgTi_2O_4相变区域比热与磁化率的标度关系 | 第79-81页 |
·MgTi_2O_4相变区域临界行为分析 | 第81-85页 |
·本章小结 | 第85-87页 |
第3章 准一维自旋有序CaTi_2O_4的制备和磁性质研究 | 第87-110页 |
·引言 | 第87页 |
·CaTi_2O_4单晶生长、成分与结构表征 | 第87-92页 |
·CaTi_2O_4磁性研究 | 第92-109页 |
·磁性测量实验原理,装置与实验方法 | 第92-93页 |
·多晶CaTi_2O_4基本磁性 | 第93-95页 |
·单晶CaTi_2O_4磁性各向异性及低维化异常 | 第95-99页 |
·变场下的单晶CaTi_2O_4变温磁化率及各向异性变化 | 第99-109页 |
·本章小结 | 第109-110页 |
第4章 准一维电荷有序Rb_(0.3)MoO_3体系的制备、结构和物理性质研究 | 第110-123页 |
·引言 | 第110-111页 |
·Rb_(0.3)MoO_3单晶生长、成分与结构表征 | 第111-113页 |
·实验方法和过程 | 第113页 |
·Rb_(0.3)MoO_3体系电子结构研究 | 第113-117页 |
·Rb_(0.3)MoO_3体系热电势研究 | 第117-122页 |
·本章小结 | 第122-123页 |
第5章 全文总结 | 第123-125页 |
参考文献 | 第125-133页 |
攻读博士期间已发表和投稿论文 | 第133-134页 |
致谢 | 第134页 |