| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·离子注入技术简介 | 第8-9页 |
| ·SOI材料简介 | 第9-11页 |
| ·SOI材料及制备方法 | 第9页 |
| ·智能剥离技术工艺流程 | 第9页 |
| ·SOI制备技术的发展趋势及面临问题 | 第9-11页 |
| ·B与轻气体离子注入硅基材料的研究进展 | 第11-16页 |
| ·H离子注入硅基材料研究进展 | 第11-13页 |
| ·B、H联合注入研究进展 | 第13-14页 |
| ·He、B、H离子注入单晶硅研究进展 | 第14-16页 |
| ·本论文的主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 理论基础及样品的制备与表征 | 第18-36页 |
| ·离子与固体相互作用 | 第18-23页 |
| ·基本物理过程 | 第18页 |
| ·能量损失机制 | 第18-20页 |
| ·射程分布和浓度分布 | 第20-22页 |
| ·注入损伤与修复 | 第22-23页 |
| ·SRIM程序介绍 | 第23页 |
| ·样品的离子注入与退火 | 第23-27页 |
| ·样品制备 | 第23-24页 |
| ·注入条件 | 第24-25页 |
| ·离子注入装置 | 第25-26页 |
| ·退火 | 第26-27页 |
| ·测试手段及基本原理 | 第27-36页 |
| ·光学显微镜 | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28页 |
| ·透射电子显微镜 | 第28-30页 |
| ·正电子湮没技术 | 第30-36页 |
| 第三章 B、H离子顺次注入单晶硅损伤的形成及机制 | 第36-53页 |
| ·OM结果 | 第36-37页 |
| ·PAS结果 | 第37-46页 |
| ·TEM结果 | 第46-50页 |
| ·机制分析 | 第50-52页 |
| ·空位作用 | 第50页 |
| ·B的作用 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 He、B、H离子顺次注入单晶硅损伤的形成及热演变 | 第53-62页 |
| ·实验方案制定依据 | 第53-54页 |
| ·OM结果 | 第54-56页 |
| ·AFM结果 | 第56-58页 |
| ·PAS结果 | 第58-60页 |
| ·机制分析 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |