| 目录 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| ·课题的研究意义 | 第9页 |
| ·课题的研究背景及国内外研究现状 | 第9-14页 |
| ·课题的研究背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·CIGS薄膜太阳能电池介绍 | 第14-17页 |
| ·电池组成 | 第14-15页 |
| ·异质结工作原理 | 第15-16页 |
| ·材料的表界面电子结构 | 第16-17页 |
| ·电子结构 | 第17-21页 |
| ·电荷密度 | 第17-18页 |
| ·能带结构 | 第18-19页 |
| ·态密度(Density of States,DOS) | 第19-21页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 第一性原理计算 | 第22-34页 |
| ·第一性原理 | 第22页 |
| ·薛定谔方程 | 第22-23页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第23-24页 |
| ·哈特里—福克(Hartree—Fock)近似 | 第24-25页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第25页 |
| ·交换关联泛函 | 第25-28页 |
| ·赝势方法 | 第28-29页 |
| ·自洽计算(SCF) | 第29-30页 |
| ·第一性原理常用计算软件 | 第30-34页 |
| ·Vienna Ab-initio Simulation Package(VASP) | 第30-32页 |
| ·Materials Studio | 第32-33页 |
| ·WIEN2k | 第33页 |
| ·CPMD(Car-Parrinello molecular dynamics) | 第33-34页 |
| 第3章 CuInGaSe_2/CdS界面的晶格结构和电学性质研究 | 第34-43页 |
| ·CuInSe_2体相和CdS体相的晶格结构 | 第34-35页 |
| ·CuInSe_2和CdS体相的能带结构和态密度 | 第35-36页 |
| ·CuInSe_2(112)表面的晶格形态及局域电学性质研究 | 第36-38页 |
| ·CuInGaSe_2/CdS界面的局域晶格结构与电学性质研究 | 第38-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第51页 |
