| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·太阳电池的研究背景及发展状况 | 第13-16页 |
| ·晶硅太阳电池的基本结构原理及制备工艺 | 第16-21页 |
| ·晶硅太阳电池的基本结构原理 | 第16-18页 |
| ·晶硅太阳电池的基本制备工艺 | 第18-21页 |
| ·多晶硅太阳电池表面刻蚀技术 | 第21-27页 |
| ·多晶硅太阳电池表面刻蚀的意义 | 第21-22页 |
| ·多晶硅太阳电池表面刻蚀方法 | 第22-27页 |
| ·干法刻蚀 | 第22-24页 |
| ·湿法刻蚀 | 第24-27页 |
| ·本文研究意义及内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验方法及性能表征 | 第29-38页 |
| ·实验原料及设备 | 第29-30页 |
| ·实验原料 | 第29页 |
| ·实验设备 | 第29-30页 |
| ·多晶硅表面结构的制备 | 第30-33页 |
| ·硅片清洗 | 第30页 |
| ·硅片表面损伤层去除 | 第30页 |
| ·减反射结构的制备 | 第30-33页 |
| ·酸腐蚀多晶硅表面的制备 | 第30-31页 |
| ·多晶硅表面复合结构的制备 | 第31-32页 |
| ·Fe(NO_3)_3腐蚀多晶硅表面的制备 | 第32-33页 |
| ·性能表征仪器及方法 | 第33-38页 |
| ·光学显微镜 | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第34-35页 |
| ·紫外可见光分光光度计 | 第35-36页 |
| ·能谱仪 | 第36-37页 |
| ·光致发光测试仪 | 第37-38页 |
| 第三章 HF/HNO_3/H_2O 体系制备多晶硅减反射结构及其性能研究 | 第38-51页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·HF/HNO_3/H_2O 体系腐蚀多晶硅机理研究 | 第38-40页 |
| ·多晶硅的腐蚀过程 | 第38-39页 |
| ·影响腐蚀反应速率的主要因素 | 第39-40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-49页 |
| ·腐蚀时间对多晶硅表面反射率和形貌的影响 | 第41-43页 |
| ·酸的体积比对多晶硅表面反射率和形貌的影响 | 第43-46页 |
| ·腐蚀液中缓冲剂的体积比对多晶硅表面反射率和形貌的影响 | 第46-47页 |
| ·腐蚀坑形貌对反射率的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 Ni 辅助腐蚀法制备多晶硅减反射复合结构及其性能研究 | 第51-62页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·Ni 辅助腐蚀多晶硅机理研究 | 第51-52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-61页 |
| ·不同实验工艺对多晶硅表面反射率的影响 | 第52-54页 |
| ·溅射 Ni 的时间对多晶硅表面反射率及腐蚀坑形貌的影响 | 第54-58页 |
| ·复合结构减反射机理分析 | 第58-60页 |
| ·复合结构的光致发光性能研究 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 Fe(NO_3)/HF 体系制备多晶硅减反射微结构及其性能研究 | 第62-69页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·实验结果与讨论 | 第62-68页 |
| ·腐蚀时间对多晶硅表面反射率和形貌的影响 | 第63-65页 |
| ·Fe(NO_3)_3浓度对多晶硅表面反射率和形貌的影响 | 第65-67页 |
| ·Fe(NO_3)_3/HF 腐蚀多晶硅的机理分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 结论与展望 | 第69-71页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第81页 |
| 攻读硕士学位期间参加科研项目情况 | 第81页 |
