摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-12页 |
第1章 绪论 | 第12-30页 |
·分子光谱学简介 | 第12-16页 |
·分子光谱学发展简史 | 第12-13页 |
·分子光谱学的分类 | 第13-15页 |
·双原子过渡金属自由基光谱研究现状 | 第15页 |
·激光光谱学的新进展与应用 | 第15-16页 |
·分子光谱学的基本原理 | 第16-22页 |
·电子波函数 | 第16-18页 |
·角动量与耦合 | 第18-20页 |
·分子能级计算公式 | 第20-21页 |
·同位素效应 | 第21-22页 |
·分子的塞曼效应 | 第22-24页 |
·分子的斯塔克效应 | 第24-27页 |
参考文献 | 第27-30页 |
第2章 实验技术与装置 | 第30-44页 |
·实验方法与技术 | 第30-37页 |
·激光诱导荧光技术 | 第30-32页 |
·自由基产生方法 | 第32-34页 |
·超声射流冷却技术 | 第34-35页 |
·激光频率校准 | 第35-37页 |
·实验装置 | 第37-42页 |
·低分辨LIF装置 | 第37-38页 |
·高分辨LIF装置 | 第38-40页 |
·外电场及外磁场装置 | 第40-42页 |
参考文献 | 第42-44页 |
第3章 NiCl自由基的光谱研究 | 第44-64页 |
·引言 | 第44页 |
·研究现状 | 第44-46页 |
·实验部分 | 第46-48页 |
·实验装置 | 第46-47页 |
·实验条件 | 第47-48页 |
·实验结果与分析 | 第48-61页 |
·振动分析 | 第48-50页 |
·转动分析 | 第50-51页 |
·平衡分子常数 | 第51-55页 |
·同位素位移 | 第55-56页 |
·上电子态寿命 | 第56-58页 |
·[13.8]~2Π_(3/2)-X~2Π_(3/2)跃迁序列 | 第58-59页 |
·其他未归属谱带 | 第59-61页 |
·总结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-64页 |
第4章 NiS和NiO自由基光谱研究 | 第64-88页 |
·引言 | 第64页 |
·研究现状 | 第64-66页 |
·NiS光谱研究现状 | 第65-66页 |
·NiO光谱研究现状 | 第66页 |
·实验部分 | 第66-68页 |
·实验装置 | 第66-67页 |
·实验条件 | 第67-68页 |
·实验结果与分析 | 第68-83页 |
·NiS结果与分析 | 第68-75页 |
·NiO结果与分析 | 第75-83页 |
·结论 | 第83-86页 |
参考文献 | 第86-88页 |
第5章 PtF自由基光谱研究 | 第88-108页 |
·引言 | 第88-89页 |
·研究背景 | 第89-90页 |
·实验部分 | 第90-91页 |
·实验装置 | 第90页 |
·实验条件 | 第90-91页 |
·实验结果与分析 | 第91-105页 |
·PtF无场光谱及分析 | 第91-97页 |
·PtF斯塔克光谱 | 第97-105页 |
·总结 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-108页 |
第6章 BaS斯塔克光谱研究 | 第108-120页 |
·引言 | 第108页 |
·研究背景 | 第108-109页 |
·实验部分 | 第109-111页 |
·实验装置 | 第109-110页 |
·实验条件 | 第110-111页 |
·实验结果与分析 | 第111-116页 |
·BaS无场光谱 | 第111页 |
·BaS斯塔克光谱 | 第111-115页 |
·电场校准:BaO斯塔克光谱 | 第115-116页 |
·结论 | 第116-117页 |
参考文献 | 第117-120页 |
第7章 TiH和TiD的塞曼光谱研究 | 第120-142页 |
·引言 | 第120-121页 |
·研究现状 | 第121-122页 |
·实验部分 | 第122-123页 |
·实验装置 | 第122页 |
·实验条件 | 第122-123页 |
·实验结果与分析 | 第123-138页 |
·TiH/TiD无场光谱研究 | 第123-127页 |
·TiH/TiD塞曼光谱研究 | 第127-135页 |
·TiH/TiD斯塔克光谱研究 | 第135-138页 |
·总结 | 第138-139页 |
参考文献 | 第139-142页 |
附录 | 第142-162页 |
致谢 | 第162-164页 |
在读期间发表的学术论文与其他研究成果 | 第164-166页 |