全功能相变存储器芯片设计及后集成工艺研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
1 绪论	第8-14页
·课题背景及研究意义	第8-10页
·相变存储器的工作原理	第10-11页
·国内外研究现状	第11-12页
·论文研究内容	第12-14页
2 全功能相变存储器外围电路设计	第14-28页
·相变存储器整体结构	第14-15页
·存储单元阵列设计	第15-18页
·写电路的设计	第18-22页
·读电路的设计	第22-26页
·其他控制模块设计	第26-27页
·本章小结	第27-28页
3 相变单元设计	第28-35页
·单元结构的分析及优化	第28-31页
·单元各层材料选择	第31页
·工艺设计及实现	第31-34页
·本章小结	第34-35页
4 CMOS 电路的后集成工艺	第35-47页
·版图设计	第35-41页
·后集成工艺难点	第41-43页
·相变存储单元阵列的制备	第43-46页
·本章小结	第46-47页
5 相变存储器芯片的性能	第47-54页
·存储单元的性能	第47-49页
·芯片电路的性能	第49-52页
·全功能芯片的性能	第52-53页
·本章小结	第53-54页
6 总结与展望	第54-55页
致谢	第55-56页
参考文献	第56-60页
附录1 攻读硕士学位期间发表的主要论文和申请专利	第60-61页
附录2 相变单元五层图形详细制备工艺	第61-67页