| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-23页 |
| ·中子的基本性质 | 第10-11页 |
| ·中子的探测 | 第11-14页 |
| ·核反应与截面 | 第14-17页 |
| ·核反应机制 | 第17-20页 |
| ·中子引起核反应测量方法 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第二章 14MeV中子引起的核反应截面测量原理 | 第23-36页 |
| ·活化截面计算公式 | 第23-25页 |
| ·公式的各项修正 | 第25-31页 |
| ·中子通量波动因子 | 第25-26页 |
| ·几何因子的修正 | 第26-28页 |
| ·样品的生吸收修正 | 第28-29页 |
| ·级联符合效应修正 | 第29-31页 |
| ·修正的截面测量计算公式 | 第31-32页 |
| ·同质异能态对基态生成截面的扣除方法 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 实验装置与实验过程 | 第36-46页 |
| ·中子源 | 第36-38页 |
| ·中子平均能量的确定 | 第38-39页 |
| ·γ能谱测量系统 | 第39-42页 |
| ·能量刻度 | 第40页 |
| ·高纯锗的效率刻度 | 第40-42页 |
| ·样品制作 | 第42-43页 |
| ·监督片的制备 | 第43页 |
| ·样品的照射 | 第43-44页 |
| ·样品的冷却与放射性γ测量 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 数据处理和截面测量结果及讨论 | 第46-61页 |
| ·锰的核反应截面数据 | 第46-49页 |
| ·钕的核反应截面数据 | 第49-53页 |
| ·钆的核反应截面数据 | 第53-54页 |
| ·钐的核反应截面数据 | 第54-55页 |
| ·锡的核反应截面数据 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 第五章 CH_4与CD_4全截面测量 | 第61-86页 |
| ·简介 | 第61-64页 |
| ·慢化器介绍 | 第61-62页 |
| ·关于慢化器材料 | 第62-64页 |
| ·低温固体甲烷 | 第64-67页 |
| ·CH_4与CD_4低温性质 | 第64-67页 |
| ·中子与物质的相互作用 | 第67-69页 |
| ·裂变过程 | 第67-68页 |
| ·辐射俘获过程 | 第68页 |
| ·散射过程 | 第68-69页 |
| ·中子散射的基本理论 | 第69-73页 |
| ·中子在慢化器中的行为 | 第73-83页 |
| ·1eV能区以上的中子减速 | 第73-81页 |
| ·在能量低于1eV的能区,中子减速 | 第81-83页 |
| ·关于MCM-41 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 第六章 实验过程 | 第86-102页 |
| ·实验装置 | 第86-91页 |
| ·质子输送系统 | 第87页 |
| ·靶系统,反射体,慢化器系统：TMR | 第87-91页 |
| ·时间与能量分辨 | 第91-92页 |
| ·样品容器Cell | 第92-96页 |
| ·铟密封 | 第95-96页 |
| ·冷却系统 | 第96-97页 |
| ·气体操作系统 | 第97-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第七章 测量过程与结果 | 第102-116页 |
| ·单甲烷CH_4测量 | 第102-107页 |
| ·真空容器(不装填任何样品气体)的中子束流测量 | 第102-103页 |
| ·充甲烷CH_4并冷却 | 第103-105页 |
| ·在各种不同温度下进行测量 | 第105-106页 |
| ·样品升温,并抽取出系统 | 第106-107页 |
| ·禁锢在MCM-41中甲烷CH_4的测量 | 第107-110页 |
| ·加入MCM-41,并抽取真空的“空Cell”测量 | 第107-108页 |
| ·冲入甲烷并测量其截面 | 第108-110页 |
| ·各种温度下,单CH_4与禁锢在MCM-41中CH_4的截面比较 | 第110-111页 |
| ·禁锢在MCM-41中CD_4截面测量 | 第111-114页 |
| ·空Cell(填充MCM-41)容器中子测量 | 第111-112页 |
| ·向Cell充入CD_4气体,冷却与升温过程 | 第112-113页 |
| ·禁锢在MCM-41中CD_4的截面 | 第113-114页 |
| ·小结 | 第114-116页 |
| 第八章 总结 | 第116-117页 |
| 在学期间的研究经历与成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |