| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-27页 |
| ·晶体硅太阳电池研究的发展和现状 | 第11页 |
| ·晶体硅太阳能电池技术 | 第11-19页 |
| ·晶体硅太阳能电池的结构及工作原理 | 第12-13页 |
| ·太阳电池主要参数 | 第13-16页 |
| ·晶体硅太阳电池的基本工艺流程 | 第16-19页 |
| ·晶体硅太阳电池的钝化 | 第19-26页 |
| ·太阳电池表面复合理论 | 第19-20页 |
| ·晶体硅太阳电池表面钝化技术 | 第20-26页 |
| ·本文的研究目的和意义 | 第26-27页 |
| 第三章 实验内容及研究方法 | 第27-35页 |
| ·实验方案 | 第27-28页 |
| ·PECVD法制备的氮化硅薄膜内部微结构对其钝化效果影响的研究 | 第27页 |
| ·PECVD法制备的氮氧化硅的微结构与钝化机理的研究 | 第27-28页 |
| ·本征氢化非晶硅/氮化硅叠层钝化膜钝化机理的研究 | 第28页 |
| ·实验及测试设备 | 第28-32页 |
| ·等离子增强化学气相沉积系统 | 第28-29页 |
| ·微波光电导衰减仪 | 第29-30页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪 | 第30-31页 |
| ·高频电容-电压测试系统 | 第31页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第31-32页 |
| ·MIS结构界面电学性质的电容-电压研究方法 | 第32-35页 |
| 第四章 氮化硅薄膜内部微结构对其钝化效果影响的研究 | 第35-59页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·氮化硅薄膜中固定电荷的研究 | 第36-46页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·结果与分析 | 第37-46页 |
| ·氮化硅薄膜与晶体硅界面处氢原子的热稳定性研究 | 第46-57页 |
| ·实验部分 | 第46-47页 |
| ·结果与分析 | 第47-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 PECVD法制备氮氧化硅微结构与钝化机理的研究 | 第59-67页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·实验部分 | 第59-60页 |
| ·结果与分析 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 本征氢化非晶硅/氮化硅叠层膜钝化机理的研究 | 第67-73页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·实验部分 | 第67-68页 |
| ·结果与分析 | 第68-72页 |
| ·本征非晶硅单层膜与本征非晶硅/氮化硅叠层膜钝化效果的对比 | 第68-69页 |
| ·热处理温度对本征非晶硅/氮化硅叠层薄膜钝化效果的影响 | 第69-71页 |
| ·热处理时间对本征非晶硅/氮化硅叠层薄膜钝化效果的影响 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第七章 全文总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 个人简历 | 第83-85页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第85页 |
