现代PIN二极管设计方法的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| ·功率半导体器件的发展现状 | 第9-11页 |
| ·课题的来源 | 第11页 |
| ·课题的研究意义 | 第11-12页 |
| ·论文主要的研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 影响二极管特性的物理参数 | 第13-23页 |
| ·本征热激发载流子浓度 | 第13-15页 |
| ·迁移率 | 第15-17页 |
| ·迁移率和温度的关系 | 第15页 |
| ·迁移率和掺杂浓度的关系 | 第15-16页 |
| ·迁移率和温度、掺杂浓度的关系 | 第16页 |
| ·迁移率和外加电场的关系 | 第16-17页 |
| ·少子寿命 | 第17-18页 |
| ·少子寿命相关公式 | 第17页 |
| ·少子寿命与温度的关系 | 第17-18页 |
| ·电阻率与掺杂浓度的关系 | 第18-19页 |
| ·突变结、线性缓变结的雪崩击穿电压 | 第19-22页 |
| ·击穿机理 | 第19-20页 |
| ·突变结与击穿电压的关系 | 第20-21页 |
| ·线性缓变结与击穿电压的关系 | 第21-22页 |
| ·结论 | 第22-23页 |
| 第三章 普通 PIN 二极管的设计 | 第23-35页 |
| ·PIN 二极管的形成机理 | 第23-26页 |
| ·普通 PIN 二极管的耐压的设计 | 第26-28页 |
| ·扩散结深 | 第28-29页 |
| ·结论 | 第29页 |
| ·普通 PIN 二极管设计实例 | 第29-35页 |
| ·反向重复峰值电压 VRRM | 第30-32页 |
| ·反向饱和电流 IR | 第32-33页 |
| ·室温下正向峰值电压 VFM | 第33-35页 |
| 第四章 PIN 二极管动态特性 | 第35-42页 |
| ·动态特性 | 第35-39页 |
| ·正向恢复过程 | 第35-36页 |
| ·反向恢复特性 | 第36-38页 |
| ·二极管的动态参数 | 第38-39页 |
| ·动态雪崩特性 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40-42页 |
| 第五章 现代 PIN 二极管的设计 | 第42-49页 |
| ·现代 PIN 二极管两极的设计 | 第42-43页 |
| ·基区电阻率及宽度设计 | 第43-45页 |
| ·基区电阻率的选取 | 第43-44页 |
| ·基区宽度的设计 | 第44-45页 |
| ·少子寿命的分布 | 第45页 |
| ·结论 | 第45页 |
| ·现代 PIN 二极管设计实例 | 第45-49页 |
| 第六章 仿真验证 | 第49-56页 |
| ·Silvaco-TCAD 简介 | 第49-50页 |
| ·Athena 概述 | 第49页 |
| ·Devedit 概述 | 第49页 |
| ·ATLAS 概述 | 第49-50页 |
| ·仿真验证 | 第50-56页 |
| 第七章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 在学研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
