| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| ·GaAs光电阴极概述 | 第7-8页 |
| ·表面光电压及其测试技术 | 第8-11页 |
| ·表面光电压形成 | 第8-10页 |
| ·表面光电压测试技术 | 第10-11页 |
| ·本文研究背景 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 2 GaAs表面光电压谱测试系统 | 第13-24页 |
| ·表面光电压探测方法 | 第13-16页 |
| ·开尔文探针法 | 第13-15页 |
| ·MIS法 | 第15页 |
| ·SPV形貌扫描法 | 第15-16页 |
| ·多层GaAs表面光电压谱测试系统结构 | 第16-20页 |
| ·多层GaAs表面光电压谱测试系统原理 | 第16-17页 |
| ·表面光电压谱测试系统构成 | 第17-20页 |
| ·GaAs表面光电压谱测试系统软件 | 第20-24页 |
| ·操作界面 | 第21-22页 |
| ·串口通讯 | 第22-23页 |
| ·Matcom数据拟合 | 第23-24页 |
| 3 SPV表征多层GaAs特性参数 | 第24-40页 |
| ·表面光电压计算表达式 | 第24-29页 |
| ·单空间电荷区光电压理论表达 | 第24-25页 |
| ·多个空间电荷区形成的光电压 | 第25-26页 |
| ·Dember光电压理论表达 | 第26-27页 |
| ·MIS结构理想因子概念 | 第27-29页 |
| ·单层厚GaAs光电压理论公式 | 第29-33页 |
| ·单层厚GaAs能带图 | 第29-30页 |
| ·单层厚GaAs扩散长度计算 | 第30-32页 |
| ·MIS结构理想因子计算 | 第32页 |
| ·漂移电流及表面复合速率计算 | 第32-33页 |
| ·双层结构AlGaAs/GaAs光电压理论公式 | 第33-35页 |
| ·双层结构AlGaAs/GaAs能带图 | 第33-34页 |
| ·双层结构AlGaAs/GaAs特性参数计算 | 第34-35页 |
| ·三层结构GaAs/AlGaAs/GaAs光电压理论公式 | 第35-39页 |
| ·三层结构GaAs发射层/AlGaAs/GaAs衬底能带图 | 第36-37页 |
| ·三层结构GaAs发射层/AlGaAs/GaAs衬底特性参数计算 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 多层结构GaAs特性参数实验分析 | 第40-55页 |
| ·表面光电压谱测试步骤及可行性验证 | 第40-43页 |
| ·表面光电压谱测试步骡 | 第40-41页 |
| ·多层结构GaAs表面光电压形成机理验证 | 第41-43页 |
| ·基于SPV的双层结构AlGaAs/GaAs特性参数分析 | 第43-48页 |
| ·理想因子 | 第43-44页 |
| ·衬底扩散长度 | 第44-45页 |
| ·p-Al_(0.63)Ga_(0.37)As/p-GaAs特性参数 | 第45-46页 |
| ·双层结构AlGaAs/GaAs激活前后对比 | 第46-48页 |
| ·基于SPV的三层结构GaAs/AlGaAs/GaAs特性参数分析 | 第48-54页 |
| ·理想因子 | 第48-50页 |
| ·si-GaAs衬底扩散长度、漂移电流等参数 | 第50-51页 |
| ·p-Al_(0.57)Ga_(0.43)As/si-GaAs特性参数 | 第51-52页 |
| ·p-GaAs发射/p-Al_(0.57)Ga_(0.43)As/si-GaAs衬底特性参数 | 第52-53页 |
| ·三层结构材料激活前后对比 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 结束语 | 第55-57页 |
| ·论文工作总结 | 第55页 |
| ·有待完善的工作 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 | 第62页 |
