| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| ·ALN 的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ALN 的性质 | 第12-15页 |
| ·AlN 的电学性质 | 第12-13页 |
| ·光学性能 | 第13-14页 |
| ·AlN 的化学性质 | 第14页 |
| ·AlN 的机械性能 | 第14-15页 |
| ·ALN 薄膜的制备技术 | 第15-17页 |
| ·反应磁控溅射法 | 第15页 |
| ·分子束外延法 | 第15-16页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第16页 |
| ·气相化学沉积（CVD） | 第16页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD) | 第16-17页 |
| ·离子束辅助沉积法（IBAD） | 第17页 |
| ·ALN 薄膜的应用 | 第17-19页 |
| ·声表面波器件 | 第17-18页 |
| ·冷阴极材料及高频大功率器件材料 | 第18页 |
| ·磁光记录材料表面增透膜 | 第18页 |
| ·做绝缘埋层 | 第18-19页 |
| ·红外光学器件保护层 | 第19页 |
| ·ALN 薄膜研究现状 | 第19-20页 |
| ·本文研究背景、思想及内容 | 第20-22页 |
| 第2章 ALN 薄膜制备及分析测试方法 | 第22-29页 |
| ·薄膜制备装置 | 第22-23页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第23-24页 |
| ·衬底的选择及预处理过程 | 第23-24页 |
| ·AlN 薄膜的制备方法及工艺条件 | 第24页 |
| ·ALN 薄膜表征方法 | 第24-26页 |
| ·金相显微镜观察 | 第24-25页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第25页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第25页 |
| ·光学显微镜 | 第25-26页 |
| ·ALN 薄膜性能测试方法 | 第26-29页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第26页 |
| ·薄膜粘结强度测试方法 | 第26-27页 |
| ·薄膜电阻率测试方法 | 第27-28页 |
| ·薄膜击穿场强测试方法 | 第28-29页 |
| 第3章 磁控反应溅射沉积 ALN 薄膜组织结构和结晶性能研究 | 第29-43页 |
| ·择优取向和晶粒尺寸的表征方法 | 第29-30页 |
| ·衬底温度对薄膜结晶性能和组织结构的影响 | 第30-33页 |
| ·氮气浓度对薄膜组织结构和结晶性能的影响 | 第33-35页 |
| ·气压对薄膜组织结构和结晶性能的影响 | 第35-37页 |
| ·过渡层ALN 薄膜结晶性能的影响 | 第37-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第4章 ALN 薄膜粘结性能研究 | 第43-59页 |
| ·薄膜与衬底的粘结机理 | 第43-45页 |
| ·界面因素对粘结强度的影响 | 第45-50页 |
| ·低能离子束清洗衬底对粘结强度的改善 | 第45页 |
| ·多离子束沉积过渡层对AlN 薄膜粘结性能的影响 | 第45-50页 |
| ·双靶磁控溅射共沉积ALN 薄膜粘结强度的改进 | 第50-56页 |
| ·试验方法 | 第50-51页 |
| ·动、静态载荷下AlN 薄膜粘结强度测试结果 | 第51-53页 |
| ·双靶磁控溅射共沉积AlN 薄膜粘结性能增强机制分析 | 第53-56页 |
| ·双靶磁控溅射工艺参数对ALN 薄膜的粘结强度的影响 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第5章 ALN 薄膜电性能研究 | 第59-65页 |
| ·ALN 薄膜的电学特征 | 第59-60页 |
| ·双靶工艺参数对ALN 薄膜电性能的影响 | 第60-64页 |
| ·氮气浓度对AlN 薄膜电性能的影响 | 第60-62页 |
| ·工作气压对AlN 薄膜电性能的影响 | 第62-63页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜电性能的影响 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 附录 A 攻读硕士期间所发表的学术论文目录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
