| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-45页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·新型非易失性存储器 | 第12-19页 |
| ·铁电存储器 | 第12-13页 |
| ·相变存储器 | 第13-15页 |
| ·磁阻式存储器 | 第15-16页 |
| ·阻变存储器 | 第16-18页 |
| ·性能比较 | 第18-19页 |
| ·RRAM研究进展 | 第19-32页 |
| ·电阻开关效应分类 | 第19-21页 |
| ·RRAM的单元结构 | 第21-23页 |
| ·忆阻器的电路发展现状 | 第23-26页 |
| ·电阻开关机制 | 第26-32页 |
| ·本论文的选题及思路 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-45页 |
| 第二章 Au/SrTiO_3/Ti存储器的电阻开关特性研究 | 第45-61页 |
| ·前言 | 第45-46页 |
| ·实验部分 | 第46-48页 |
| ·金属Ti薄膜的制备 | 第46页 |
| ·STO薄膜的制备 | 第46-48页 |
| ·STO薄膜的表征与结果分析 | 第48-50页 |
| ·X射线衍射结构分析 | 第48-49页 |
| ·场发射扫描电镜分析 | 第49-50页 |
| ·Au/STO/Ti存储单元的电阻开关特性 | 第50-56页 |
| ·Au/STO/Ti存储单元的制备 | 第50-51页 |
| ·Au/STO/Ti存储单元的电学特性 | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 Au/SrTiO_3/Pt存储器的电阻开关特性研究 | 第61-77页 |
| ·前言 | 第61-62页 |
| ·STO薄膜的制备 | 第62页 |
| ·STO薄膜的表征与结果分析 | 第62-66页 |
| ·X射线衍射结构分析 | 第62-63页 |
| ·STO薄膜的表面形貌分析 | 第63页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第63-66页 |
| ·Au/STO/Pt存储单元的电阻开关特性 | 第66-73页 |
| ·Au/STO/Pt器件的制备 | 第66页 |
| ·Au/STO/Pt器件的整流效应 | 第66-67页 |
| ·Au/STO/Pt器件的电阻开关特性 | 第67-72页 |
| ·Au/STO/Pt器件的非易失性研究 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第四章 Au/SrTiO_3/Pt单极忆阻器执行实质蕴涵逻辑运算 | 第77-91页 |
| ·前言 | 第77-79页 |
| ·Au/STO/Pt单极忆阻器的I-V特性 | 第79-81页 |
| ·实质蕴涵逻辑运算 | 第81-88页 |
| ·实质蕴涵逻辑电路 | 第81-83页 |
| ·P和Q开关上压降的计算结果 | 第83-85页 |
| ·Au/STO/Pt单极开关执行IMP逻辑 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第五章 Au/NiO/SrTiO_3/Pt存储器的电阻开关特性研究 | 第91-119页 |
| ·前言 | 第91-92页 |
| ·NiO/STO异质结的制备 | 第92-93页 |
| ·NiO/STO异质结的表征与结果分析 | 第93-95页 |
| ·X射线衍射结构分析 | 第93-94页 |
| ·X射线能谱分析 | 第94-95页 |
| ·场发射扫描电子显微镜图像分析 | 第95页 |
| ·Au/NiO/STO/Pt存储器的电阻开关特性 | 第95-113页 |
| ·Au/NiO/STO/Pt器件的制备 | 第95-96页 |
| ·Au/NiO/STO/Pt器件的初态I-V特性 | 第96-97页 |
| ·双极电阻开关特性和相应的电形成过程 | 第97-106页 |
| ·Au/NiO/STO/Pt器件的单极电阻开关特性 | 第106-113页 |
| ·本章小结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-119页 |
| 结论与展望 | 第119-121页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123页 |
