| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| §1.1 引言 | 第10页 |
| §1.2 双电子复合过程的物理图像 | 第10-11页 |
| §1.3 双电子复合过程的研究现状 | 第11-12页 |
| §1.4 电子与离子碰撞的基本过程 | 第12-14页 |
| §1.5 本文的研究背景 | 第14-15页 |
| §1.6 本文的研究内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 理论方法 | 第19-26页 |
| §2.1 FAC 程序包简介 | 第19页 |
| §2.2 理论方法 | 第19-23页 |
| ·局域中心势的选择 | 第20-22页 |
| ·辐射跃迁速率 | 第22页 |
| ·自电离速率 | 第22-23页 |
| §2.3 双电子复合截面和速率系数计算公式 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 类镓钨离子的 DR 过程的理论研究 | 第26-41页 |
| §3.1 引言 | 第26-29页 |
| §3.2 类锗 W42 +离子的能级 | 第29-30页 |
| §3.3 组态相互作用对 DR 速率系数的影响 | 第30页 |
| §3.4 DR 速率系数随 l'的变化 | 第30-31页 |
| §3.5 自由电子俘获到不同主量子数 n'的 DR 速率系数 | 第31-33页 |
| §3.6 不同壳层电子激发的 DR 速率系数 | 第33-35页 |
| §3.7 Dn = 0、Dn = 1 和 Dn = 2 三类不同芯激发的 DR 速率系数 | 第35页 |
| §3.8 W4~(3+)离子的 DR 截面 | 第35-36页 |
| §3.9 DR 速率系数的拟合 | 第36-37页 |
| §3.10 DR、RR 和 TBR 速率系数的比较 | 第37-38页 |
| §3.11 小结 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第四章 类铜钨离子的 DR 过程的理论研究 | 第41-49页 |
| §4.1 DR 速率系数随 l'的变化 | 第41-42页 |
| §4.2 不同壳层电子激发的 DR 速率系数 | 第42页 |
| §4.3 激发至不同壳层的 DR 速率系数 | 第42-44页 |
| §4.4 Dn = 0、Dn = 1 和 Dn = 2 三类不同芯激发的 DR 速率系数 | 第44-45页 |
| §4.5 部分和总的 DR 截面 | 第45-46页 |
| §4.6 DR 速率系数的拟合 | 第46-47页 |
| §4.7 DR、RR 和 TBR 速率系数的比较 | 第47-48页 |
| §4.8 小结 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第五章 类钯 Xe~(8+)离子 DR 速率系数的理论研究 | 第49-61页 |
| §5.1 引言 | 第49-52页 |
| §5.2 类银 Xe7+离子的 4d10nl 态的能级 | 第52页 |
| §5.3 不同壳层电子激发的 DR 速率系数 | 第52-53页 |
| §5.4 激发至不同壳层的 DR 速率系数 | 第53-56页 |
| §5.5 Dn = 0、Dn = 1 和 Dn = 2 三类不同芯激发的 DR 速率系数 | 第56页 |
| §5.6 总 DR 速率系数 | 第56-57页 |
| §5.7 DR 速率系数的拟合 | 第57-58页 |
| §5.8 DR、RR 和 TBR 速率系数的比较 | 第58页 |
| §5.9 小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-64页 |
| §6.1 总结 | 第61-62页 |
| §6.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 附录:硕士学位期间发表和完成论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
