摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
1 绪论 | 第12-28页 |
·NEA GaN光电阴极概述 | 第12-15页 |
·光电发射的原理 | 第12页 |
·NEA光电阴极的发现 | 第12-13页 |
·NEA GaN光电阴极的提出 | 第13-15页 |
·NEA GaN光电阴极的研究现状 | 第15-20页 |
·GaN晶体的生长技术现状 | 第15-16页 |
·GaN基固体探测器件的研究现状 | 第16-17页 |
·GaN基真空探测器件的研究现状 | 第17-20页 |
·NEA GaN光电阴极的应用 | 第20-25页 |
·在紫外探测领域的应用 | 第21-23页 |
·在真空电子源中的应用 | 第23-25页 |
·本文研究的背景和意义 | 第25-26页 |
·本文研究的背景 | 第25页 |
·本文研究的意义 | 第25-26页 |
·本文研究的主要工作 | 第26-28页 |
2 NEA GaN光电阴极光电发射理论研究 | 第28-50页 |
·GaN晶体概述 | 第28-32页 |
·GaN的晶格结构和主要参数 | 第28-29页 |
·GaN晶体的特性及能带结构 | 第29-31页 |
·GaN晶体的本征载流子浓度 | 第31-32页 |
·NEA GaN光电阴极的光电发射机理概述 | 第32-35页 |
·NEA GaN光电阴极的结构以及工作模式 | 第35-36页 |
·NEA GaN光电阴极光电发射过程 | 第36-42页 |
·光电子激发 | 第36-37页 |
·光电子往阴极表面的输运 | 第37-39页 |
·光电子隧穿表面势垒 | 第39-42页 |
·反射式NEA GaN光电阴极的量子效率表达式 | 第42-44页 |
·NEA GaN光电阴极表面模型 | 第44-49页 |
·GaAs光电阴极表面模型的回顾 | 第44-46页 |
·GaN光电阴极表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs | 第46-48页 |
·GaN光电阴极表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs的讨论 | 第48-49页 |
·本章小结 | 第49-50页 |
3 反射式NEA GaN光电阴极制备技术研究 | 第50-72页 |
·引言 | 第50-52页 |
·激活评估实验系统简介 | 第52-58页 |
·超高真空激活系统 | 第53-57页 |
·NEA光电阴极的多信息量在线测控系统 | 第57页 |
·表面分析系统 | 第57-58页 |
·NEA GaN光电阴极表面的净化 | 第58-62页 |
·化学清洗工艺 | 第59-60页 |
·加热净化工艺 | 第60-62页 |
·激活实验 | 第62-66页 |
·Cs激活 | 第62-64页 |
·Cs/O激活 | 第64-66页 |
·反射式NEA GaN光电阴极激活机理 | 第66-70页 |
·激活过程中光电流变化分析 | 第66-67页 |
·激活过程中电子亲和势变化分析 | 第67-69页 |
·利用表面模型分析激活机理 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
4 反射式NEA GaN光电阴极光谱响应研究 | 第72-85页 |
·引言 | 第72-73页 |
·光谱响应测试的原理 | 第73-74页 |
·紫外光谱响应测试仪简介 | 第74-78页 |
·反射式NEA GaN光电阴极光谱响应 | 第78-84页 |
·反射式NEA GaN光电阴极光谱响应曲线特点 | 第78-80页 |
·光谱响应曲线的讨论 | 第80页 |
·影响反射式NEA GaN光电阴极量子产额的因素 | 第80-84页 |
·本章小结 | 第84-85页 |
5 反射式NEA GaN光电阴极稳定性研究 | 第85-96页 |
·引言 | 第85-86页 |
·反射式NEA GaN光电阴极的稳定性实验 | 第86-89页 |
·反射式NEA GaN光电阴极稳定性实验介绍 | 第86-87页 |
·反射式NEA GaN光电阴极稳定性实验讨论 | 第87-89页 |
·反射式NEA GaN光电阴极量子效率曲线的衰减 | 第89-92页 |
·量子效率衰减的实验 | 第89-90页 |
·量子效率曲线的衰减结果分析与讨论 | 第90-92页 |
·反射式NEA GaN光电阴极量子效率曲线的恢复 | 第92-95页 |
·反射式NEA GaN光电阴极重新进Cs激活 | 第92-93页 |
·反射式NEA GaN光电阴极重新进Cs激活结果讨论 | 第93-95页 |
·本章小结 | 第95-96页 |
6 结束语 | 第96-100页 |
·本文工作总结 | 第96-98页 |
·本文的创新点 | 第98-99页 |
·有待进一步探索的问题 | 第99-100页 |
致谢 | 第100-101页 |
参考文献 | 第101-112页 |
附录 | 第112-114页 |