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前驱体纳米化后氧化钨陶瓷中高温温区的电学性能研究

摘要第1-8页
Abstract第8-13页
第1章 绪论第13-45页
   ·WO_3基本物理性质及研究进展第13-23页
     ·晶体结构及相变第13-15页
     ·WO_3的物理性质第15-16页
     ·WO_3的电学性质及其应用第16-18页
     ·WO_3的磁性质及其研究第18-19页
     ·WO_3的光学性质及其应用第19-22页
     ·WO_3材料的其它应用第22-23页
   ·压敏陶瓷的电学性能及研究进展第23-32页
     ·压敏电阻器第23-25页
     ·压敏电阻材料的研究进展第25-26页
     ·压敏材料的电性能参数第26-28页
     ·压敏电阻的理论模型第28-32页
   ·热电材料及其研究进展第32-39页
     ·热电效应第33页
     ·Seebeck效应第33-34页
     ·热电材料的相关参数第34-38页
     ·热电材料的研究现状第38-39页
   ·WO_3陶瓷电学行为的研究现状第39-42页
     ·高温下非线性电学特性第39页
     ·高温下热电输出行为第39-40页
     ·纳米化对陶瓷电学行为的影响第40-41页
     ·微观结构的影响第41页
     ·掺杂的影响第41-42页
   ·本文的研究背景和意义第42-43页
   ·本文的主要研究工作第43-45页
第2章 实验过程及实验方法介绍第45-53页
   ·实验准备第45-46页
     ·纳米WO_3粉体的制备第45页
     ·PVA粘合剂的制备工艺第45-46页
   ·钨基陶瓷样品的制备过程第46-48页
   ·样品显微结构测试第48-50页
     ·扫描电镜(SEM)分析第48页
     ·X射线衍射(XRD)分析第48-49页
     ·密度第49-50页
     ·收缩率测量第50页
   ·样品电学行为测试第50-53页
     ·非线性伏安特性第50-51页
     ·交流阻抗分析第51页
     ·介电常数和介质损耗第51-52页
     ·Seebeck系数测试方法第52-53页
第3章 沉淀法制备WO_3前驱体烧结陶瓷的电学行为第53-77页
   ·沉淀法制备纳米化WO_3前驱体粉末第53-54页
   ·热处理温度对前驱体纳米化WO_3陶瓷的影响第54-59页
     ·样品制备第54-55页
     ·实验结果与分析第55-59页
     ·结论第59页
   ·烧结时间对纳米WO_3电学性能的影响第59-67页
     ·样品制备第59-60页
     ·前驱体纳米化后600℃不同热处理时间样品的实验结果与分析第60-63页
     ·前驱体纳米化后1000℃不同热处理时间样品的实验结果与分析第63-65页
     ·电学行为分析第65-66页
     ·结论第66-67页
   ·Ce掺杂的纳米WO_3陶瓷电学行为研究第67-75页
     ·热处理温度对前驱体纳米化后Ce掺杂的影响第67-72页
     ·前驱体纳米化后Ce掺杂WO_3陶瓷的变温伏安特性第72-75页
     ·结论第75页
   ·本章小结第75-77页
第4章 溶胶-凝胶法制备WO_3前驱体烧结陶瓷的电学行为第77-100页
   ·溶胶-凝胶法制备前驱体纳米WO_3粉末第77-79页
   ·采用溶胶-凝胶法制备纳米粉制备的WO_3陶瓷变温电学行为第79-83页
     ·样品制备第79页
     ·微观结构表征第79-81页
     ·电学行为分析第81-82页
     ·结论第82-83页
   ·纳米Nd_2O_3掺杂对WO_3陶瓷电性能影响第83-92页
     ·样品的制备与测试第83页
     ·实验结果与分析第83-92页
     ·结论第92页
   ·纳米Dy_2O_3掺杂对WO_3陶瓷电学性能的影响第92-99页
     ·样品的制备与测试第92-93页
     ·实验结果与分析第93-99页
     ·结论第99页
   ·本章小结第99-100页
第5章 钨基氧化物陶瓷的电学行为分析第100-103页
   ·WO_3材料的电阻率第100页
   ·WO_3材料的非线性参数第100-101页
   ·WO_3材料非线性的起源第101-102页
   ·WO_3材料中高温温区内的电学行为第102-103页
结论第103-105页
致谢第105-106页
参考文献第106-118页
攻读博士学位期间发表(或录用)的论文第118-119页
攻读博士学位期间承担的科研项目第119-120页
攻读博士学位期间申请(或授权)的专利第120页

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