| 论文摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-15页 |
| 目录 | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-32页 |
| ·纳米材料与纳米科学技术概述 | 第17-20页 |
| ·硅纳米线材料的研究现状 | 第20-25页 |
| ·纳米材料的图形化 | 第25-27页 |
| ·硅纳米线表面修饰及纳米线在电化学生物传感器中的应用 | 第27-31页 |
| ·本论文的主要工作 | 第31-32页 |
| 第二章 珈伐尼置换法(浸镀法)形成硅纳米线原理 | 第32-44页 |
| ·单晶硅的表面结构 | 第32-33页 |
| ·硅片表面处理 | 第33-35页 |
| ·Galvanic Displacement | 第35-36页 |
| ·H-终止硅表面金属的沉积—Galvanic Displacement | 第36-40页 |
| ·硅纳米线的形成机理探索 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 珈伐尼置换法(浸镀法)制备硅纳米线 | 第44-60页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-54页 |
| ·反应机制的进一步研究 | 第54-58页 |
| ·改进前后的结果比较 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 图形化硅纳米线的制备 | 第60-73页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验部分 | 第60-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 硅纳米线表面修饰普鲁士蓝PB及其在H_2O_2传感器中的应用 | 第73-90页 |
| ·引言 | 第73-75页 |
| ·实验部分 | 第75-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 硕士论文期间发表文章 | 第100页 |
