| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| ·ZnO基压敏电阻器的发展状况 | 第10-12页 |
| ·发展历史 | 第10-11页 |
| ·发展趋势 | 第11-12页 |
| ·ZnO 基压敏变阻器概述 | 第12-23页 |
| ·氧化锌变阻器的微观结构 | 第13-15页 |
| ·电学性能 | 第15-19页 |
| ·力学性能 | 第19-21页 |
| ·掺杂物Bi_2O_3和Sb_2O_3的作用 | 第21-23页 |
| 2 研究内容和研究方法 | 第23-29页 |
| ·实验设计 | 第23-25页 |
| ·实验原料 | 第23-24页 |
| ·实验所用设备 | 第24页 |
| ·实验方法和步骤 | 第24-25页 |
| ·测试方法 | 第25-29页 |
| ·显微结构的测试 | 第25页 |
| ·力学性能的测试 | 第25-26页 |
| ·电学性能的测试 | 第26-27页 |
| ·密度的测量 | 第27-29页 |
| 3 不同铋掺杂水平ZnO 变阻器材料研制 | 第29-39页 |
| ·不同铋掺杂水平对 ZnO变阻器材料组成的影响 | 第29-31页 |
| ·不同铋掺杂水平 ZnO变阻器材料烧结前后元素组成的变化 | 第29-30页 |
| ·不同铋掺杂水平 ZnO变阻器材料 XRD 相组成分析 | 第30-31页 |
| ·不同铋掺杂水平对 ZnO变阻器材料结构的影响 | 第31-34页 |
| ·不同铋掺杂水平对材料烧结体的密度与相对密度的影响 | 第31-32页 |
| ·不同铋掺杂水平对材料微观结构的影响 | 第32-34页 |
| ·不同铋掺杂水平对Zn0压敏变阻器力学性能的影响 | 第34-35页 |
| ·不同铋掺杂水平对Zn0压敏变阻器电学性能的影响 | 第35-39页 |
| 4 不同锑掺杂水平ZnO 变阻器材料研制 | 第39-50页 |
| ·不同锑掺杂水平对 ZnO 变阻器材料组成的影响 | 第39-41页 |
| ·不同锑掺杂水平 ZnO 变阻器材料烧结前后元素组成的变化 | 第39-40页 |
| ·不同锑掺杂水平 ZnO 变阻器材料 XRD 相组成分析 | 第40-41页 |
| ·不同锑掺杂水平对 ZnO 变阻器材料结构的影响 | 第41-44页 |
| ·不同锑掺杂水平对材料烧结体的密度与相对密度的影响 | 第41-42页 |
| ·不同锑掺杂水平对材料微观结构的影响 | 第42-44页 |
| ·不同锑掺杂水平对 Zn0 压敏变阻器力学性能的影响 | 第44-46页 |
| ·不同锑掺杂水平对Zn0压敏变阻器电学性能的影响 | 第46-50页 |
| 5 不同 Sb:Bi 比掺杂 ZnO 变阻器材料研制 | 第50-59页 |
| ·不同 Sb:Bi 比对氧化锌变阻器材料组成的影响 | 第50-52页 |
| ·不同 Sb:Bi 比掺杂系列样品烧结前后元素组成的变化 | 第50-51页 |
| ·不同 Sb:Bi 比掺杂对氧化锌变阻器材料 XRD 相组成分析 | 第51-52页 |
| ·不同 Sb:Bi 比对氧化锌变阻器材料结构的影响 | 第52-54页 |
| ·不同 Sb:Bi 比掺杂对材料烧结体的密度与相对密度的影响 | 第52-53页 |
| ·不同 Sb:Bi 比掺杂对材料微观结构的影响 | 第53-54页 |
| ·不同 Sb:Bi 比掺杂对 Zn0 基压敏变阻器力学性能的影响 | 第54-56页 |
| ·不同 Sb:Bi 比掺杂对 Zn0 基压敏变阻器电学性能的影响 | 第56-59页 |
| 6 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
