| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-35页 |
| ·: 课题研究背景 | 第15-17页 |
| ·: GaN基蓝紫光激光器的发展过程 | 第17-26页 |
| ·: Nichia化学公司GaN基激光器研究发展史 | 第18-24页 |
| ·: 世界上其它公司和研究机构的研究情况 | 第24-26页 |
| ·: GaN基半导体光激光器的应用 | 第26-28页 |
| ·: 蓝紫光激光器在下一代光盘产业(DVD)中的应用 | 第26-27页 |
| ·: GaN基激光器在其它方面的应用 | 第27-28页 |
| ·: 生长和制作GaN基激光器存在的问题 | 第28-29页 |
| ·: 本论文主要工作和创新点 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 GaN激光器一维光场模拟 | 第35-69页 |
| ·: GaN基材料 | 第35-38页 |
| ·: Ⅲ族氮化物材料的性质 | 第35-36页 |
| ·: GaN基材料的生长 | 第36-38页 |
| ·: 介质平板波导理论 | 第38-42页 |
| ·: 波动方程 | 第38-40页 |
| ·: 电学常数和光学常数 | 第40-41页 |
| ·: 电磁辐射的TE模和TM模 | 第41-42页 |
| ·: 激光器一维光场模拟的理论基础 | 第42-47页 |
| ·: 传输矩阵法求解多层介质平板波导 | 第42-44页 |
| ·: 光场限制因子 | 第44-45页 |
| ·: 半导体激光器的远场分布和远场垂直发散角 | 第45页 |
| ·: 半导体折射率的各种理论模型 | 第45-47页 |
| ·: AlGaN/GaN/InGaN SCH MQW LD的一维光场模拟 | 第47-65页 |
| ·: 采用的结构 | 第47-48页 |
| ·: GaN、AlGaN和InGaN折射率的确定 | 第48-50页 |
| ·: 阈值电流密度采用的公式 | 第50-51页 |
| ·: 各层材料的参数对一维光场分布的影响及各层参数的优化 | 第51-65页 |
| ·: 结构参数与优化的结果 | 第65页 |
| ·: 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第三章 AlGaN的生长和材料表征 | 第69-87页 |
| ·: 引言 | 第69-70页 |
| ·: AlGaN的生长 | 第70-79页 |
| ·: MOCVD在位监测 | 第70-71页 |
| ·: TMAl流量变化对AlGaN薄膜质量的影响 | 第71-76页 |
| ·: 生长温度对AlGaN薄膜质量的影响 | 第76-78页 |
| ·: AlGaN/GaN超晶格层的生长 | 第78-79页 |
| ·: 材料表征方法 | 第79-84页 |
| ·: 本章小节 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第四章 InGaN/GaN多量子阱波长的设计及生长研究 | 第87-107页 |
| ·: InGaN/GaN多量子阱激光器的发射波长设计 | 第87-95页 |
| ·: InGaN的压电极化效应 | 第87-89页 |
| ·: 量子阱中导带和价带分立能级ECl和Ehh1的计算 | 第89-92页 |
| ·: 发射波长与阱的组分、厚度及其垒的组分和厚度的关系 | 第92-95页 |
| ·: InGaN/GaN多量子阱材料的生长 | 第95-102页 |
| ·: InGaN/GaN多量子阱生长的研究情况 | 第95-96页 |
| ·: 阱的温度变化对InGaN/GaN多量子阱的影响 | 第96-102页 |
| ·: 实验过程 | 第96-98页 |
| ·: 结果分析与讨论 | 第98-102页 |
| ·: 本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-107页 |
| 第五章 低P型GaN欧姆接触电阻的研究 | 第107-149页 |
| ·: P型GaN欧姆接触的研究情况 | 第107-109页 |
| ·: 欧姆接触形成机理 | 第109-112页 |
| ·: 金属(?)半导体接触 | 第109页 |
| ·: 欧姆接触形成的机制 | 第109-112页 |
| ·: 接触电阻率的测量原理和方法 | 第112-116页 |
| ·比接触电阻的数学定义 | 第112-113页 |
| ·: 比接触电阻率~(ρ_c)的测量方法 | 第113-114页 |
| ·: CTLM方法测量欧姆比接触电阻的基本原理 | 第114-116页 |
| ·: P型欧姆接触的制备流程 | 第116-119页 |
| ·: 化学清洗和表面预处理 | 第117页 |
| ·: 光刻 | 第117-118页 |
| ·: 电子束蒸发金属层(Ni/Au) | 第118页 |
| ·: 剥离电极 | 第118页 |
| ·: 合金化形成欧姆接触 | 第118-119页 |
| ·: 应变p-InGaN/p-GaN超晶格薄层作顶层获得低阻欧姆接触电阻的研究 | 第119-128页 |
| ·: 引言 | 第119-120页 |
| ·: 实验过程 | 第120-121页 |
| ·: 测试结果与分析 | 第121-128页 |
| ·: P型GaN欧姆接触工艺的优化 | 第121-124页 |
| ·: A、B、C三种结构样品的欧姆接触的I-V特性比较 | 第124-128页 |
| ·: 结论 | 第128页 |
| ·: 用应变补偿和应变极化效应的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层作顶层获得更低的欧姆接触电阻的研究 | 第128-136页 |
| ·: 引言 | 第128-129页 |
| ·: 理论分析与实验过程 | 第129-131页 |
| ·: 结果分析 | 第131-136页 |
| ·: 结论 | 第136页 |
| ·: 低工作电压的发光二级管(LED)的研制 | 第136-144页 |
| ·: GaN基LED材料的生长和芯片制作过程 | 第136-137页 |
| ·: LED器件特性分析 | 第137-144页 |
| ·: 本章小结 | 第144-145页 |
| 参考文献 | 第145-149页 |
| 第六章 工作总结和展望 | 第149-151页 |
| 附录 博士期间发表论文及申请专利 | 第151-153页 |
| 致谢 | 第153页 |
