| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·浮栅技术提出的背景 | 第9-10页 |
| ·神经MOS 晶体管的提出 | 第10-11页 |
| ·浮栅技术和神经MOS 晶体管的研究意义 | 第11页 |
| ·神经网络实现问题的提出 | 第11-13页 |
| ·论文的主要内容及章节安排 | 第13-14页 |
| 第2章 基于浮栅技术的神经MOS 晶体管的分析 | 第14-24页 |
| ·浮栅MOS 晶体管结构 | 第14-17页 |
| ·浮栅MOS 晶体管的等效模型 | 第17页 |
| ·神经MOS 晶体管的结构 | 第17-20页 |
| ·神经MOS 晶体管的主要特点 | 第20-21页 |
| ·新型神经MOS 晶体管 | 第21-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第3章 神经MOS 晶体管的建模及应用 | 第24-38页 |
| ·单管神经MOS 晶体管的建模 | 第24-28页 |
| ·互补型神经MOS 晶体管建模 | 第28-31页 |
| ·神经MOS 晶体管电路的分析 | 第31-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第4章 HOPFIELD 神经网络 | 第38-51页 |
| ·离散HOPFIELD 神经网络 | 第38-46页 |
| ·连续HOPFIELD 神经网络 | 第46-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第5章 离散HOPFIELD 神经网络的实现 | 第51-62页 |
| ·用神经MOS 晶体管实现离散HOPFIELD 神经网络 | 第51-57页 |
| ·用胜者为王电路来优化联想记忆结果的设计 | 第57-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |