| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·GaInNAs半导体激光器的发展 | 第8-12页 |
| ·GaInNAs半导体激光材料的特性概述 | 第12-14页 |
| ·GaInNAs材料的应用前景 | 第14-15页 |
| ·本论文研究的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 1.31μmGaInNAs应变量子阱材料特性研究 | 第16-37页 |
| ·量子阱半导体激光器的主要特性分析 | 第16-25页 |
| ·应变对量子阱材料特性的影响 | 第25-29页 |
| ·GaInNAs/GaAs应变量子阱材料的特性 | 第29-37页 |
| 第三章 1.31μm应变量子阱GaInNAs激光器的结构设计 | 第37-45页 |
| ·激光器芯片的材料结构 | 第37-38页 |
| ·谐振腔结构设计 | 第38-42页 |
| ·激光器的散热系统设计 | 第42-43页 |
| ·激光器的完整装配结构 | 第43-45页 |
| 第四章 1.31μm GaInNAs应变量子阱激光器的制作 | 第45-55页 |
| ·GaInNAs应变量子阱材料的生长 | 第45-48页 |
| ·脊形波导的制作 | 第48-49页 |
| ·脉冲阳极氧化工艺制备绝缘膜 | 第49-52页 |
| ·欧姆接触层的制备 | 第52-53页 |
| ·装片与内引线键合 | 第53-55页 |
| 第五章 1.31μm GaInNAs应变量子阱激光器的特性评价 | 第55-59页 |
| ·GaInNAs应变单量子阱材料的特性测试 | 第55-56页 |
| ·1.31μm GaInNAs应变单量子阱激光器的特性 | 第56-58页 |
| ·脉冲阳极氧化对激光器芯片结构的影响 | 第58-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
