| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·ESD保护电路的发展概况 | 第9-11页 |
| ·研究ESD保护电路仿真方法的意义 | 第11-12页 |
| ·本文的课题来源、研究目的及章节安排 | 第12-15页 |
| ·课题来源 | 第12-13页 |
| ·研究目的 | 第13页 |
| ·本章内容简介 | 第13-15页 |
| 第二章 ESD保护电路的电热模拟原理 | 第15-27页 |
| ·ESD保护电路简介 | 第15-16页 |
| ·ESD失效机理 | 第16-18页 |
| ·电热击穿阈值分析 | 第18-21页 |
| ·击穿温度分析 | 第18-20页 |
| ·电流电压关系分析 | 第20-21页 |
| ·失效功率模型 | 第21-23页 |
| ·Tasca模型 | 第21-22页 |
| ·Wunsch Bell模型 | 第22页 |
| ·Dwyer模型 | 第22-23页 |
| ·电热协同仿真 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 GGNMOS的模型研究和仿真 | 第27-45页 |
| ·GGNMOS管的等效电路 | 第27-33页 |
| ·寄生晶体管开启前模型 | 第27-29页 |
| ·寄生晶体管开启后模型 | 第29-33页 |
| ·ESD保护电路的MEDICI仿真 | 第33-44页 |
| ·MEDICI软件简介 | 第33-34页 |
| ·模型选用 | 第34-37页 |
| ·MEDICI仿真优化横向参数 | 第37-41页 |
| ·利用CA-AAM作瞬态分析 | 第41-43页 |
| ·仿真方法评价 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 N阱电阻模型及仿真 | 第45-65页 |
| ·N阱电阻模型 | 第46-52页 |
| ·线性电阻和饱和区 | 第47-49页 |
| ·雪崩倍增区热电击穿区 | 第49-51页 |
| ·高注入区 | 第51-52页 |
| ·仿真软件——ESD下N阱电阻I-V特性模拟使用说明 | 第52-59页 |
| ·总体设计 | 第53-55页 |
| ·软件使用过程 | 第55-59页 |
| ·使用过程说明 | 第59页 |
| ·软件维护过程 | 第59页 |
| ·仿真与实验结果对比 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 TLP测试及实验分析 | 第65-77页 |
| ·ESD传统测试 | 第65-68页 |
| ·TLP测试系统原理 | 第68-73页 |
| ·传输线脉冲原理 | 第68-71页 |
| ·传输线脉冲发生器的应用 | 第71-73页 |
| ·本文实验方法及波形分析 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 结束语 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 研究成果 | 第83-84页 |