| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·ZnO的基本性质及应用 | 第13-18页 |
| ·ZnO的结构性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第14-16页 |
| ·ZnO的应用 | 第16-18页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第18-22页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·分子束外延法 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第21页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第21-22页 |
| ·喷雾热分解法 | 第22页 |
| ·ZnO的缺陷和掺杂 | 第22-28页 |
| ·ZnO的缺陷 | 第23-24页 |
| ·n型掺杂 | 第24页 |
| ·p型掺杂 | 第24-28页 |
| ·本论文的目的及研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 溶胶-凝胶成膜原理及实验方法 | 第29-42页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·溶胶-凝胶技术的特点 | 第29-30页 |
| ·溶胶-凝胶法的工艺过程 | 第30-32页 |
| ·溶胶的制备和溶胶化学 | 第30-31页 |
| ·凝胶的原理 | 第31页 |
| ·煅烧和烧结 | 第31-32页 |
| ·溶胶-凝胶法制备薄膜的常用方法 | 第32-33页 |
| ·旋涂法 | 第32页 |
| ·浸涂提拉法 | 第32-33页 |
| ·影响因素 | 第33-34页 |
| ·水解度 | 第33页 |
| ·溶胶浓度 | 第33-34页 |
| ·温度 | 第34页 |
| ·催化剂 | 第34页 |
| ·试剂及仪器设备 | 第34-35页 |
| ·试剂的选用 | 第34-35页 |
| ·实验器材 | 第35页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第35-38页 |
| ·基片的清洗 | 第35-36页 |
| ·溶胶溶液的配制 | 第36-37页 |
| ·旋涂法镀膜 | 第37页 |
| ·干燥和热处理 | 第37-38页 |
| ·几种主要的分析方法简介 | 第38-42页 |
| ·X射线衍射分析 | 第38页 |
| ·荧光分光光度法 | 第38页 |
| ·紫外-可见分光光度法 | 第38-39页 |
| ·原子力显微分析 | 第39页 |
| ·扫描电子显微分析 | 第39页 |
| ·k-k变换在ZnO薄膜光学常数计算中的应用 | 第39-42页 |
| 第三章 离子注入在ZnO掺杂中的应用 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·离子注入材料的物理过程 | 第43-46页 |
| ·离子注入过程的TRIM模拟 | 第46-47页 |
| ·ZnO离子注入改性研究进展 | 第47-52页 |
| ·透明导电薄膜 | 第47-49页 |
| ·高阻ZnO薄膜 | 第49-50页 |
| ·p型ZnO薄膜 | 第50-51页 |
| ·磁性ZnO薄膜 | 第51-52页 |
| 第四章 溶胶凝胶法制备的ZnO:Al薄膜性质的研究 | 第52-75页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·掺杂浓度对ZnO:Al薄膜性质的影响 | 第53-63页 |
| ·掺杂浓度对结构的影响 | 第53-56页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第53-54页 |
| ·X射线衍射分析 | 第54-56页 |
| ·掺杂浓度对ZnO:Al薄膜光学性质的影响 | 第56-59页 |
| ·吸收光谱分析 | 第56-58页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第58-59页 |
| ·掺杂浓度对ZnO:Al薄膜光学常数的影响 | 第59-63页 |
| ·掺杂浓度对ZnO:Al薄膜电学性质的影响 | 第63页 |
| ·退火对ZnO:Al薄膜性质的影响 | 第63-73页 |
| ·退火温度对ZnO:Al薄膜结构的影响 | 第64页 |
| ·退火时间对ZnO:Al薄膜结构的影响 | 第64-65页 |
| ·退火温度对ZnO:Al薄膜光学常数的影响 | 第65-71页 |
| ·退火温度对ZnO:Al薄膜光致发光的影响 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 ZnO薄膜离子注入研究 | 第75-93页 |
| ·引言 | 第75-76页 |
| ·Zn离子注入对ZnO薄膜性质的影响 | 第76-79页 |
| ·X射线衍射分析 | 第77-78页 |
| ·吸收光谱分析 | 第78-79页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第79页 |
| ·退火温度对锌注入ZnO薄膜性质的影响 | 第79-85页 |
| ·X射线衍射分析 | 第79-80页 |
| ·吸收光谱分析 | 第80-84页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第84-85页 |
| ·Ge离子注入对ZnO薄膜性质的影响 | 第85-89页 |
| ·X射线衍射分析 | 第87-88页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第88-89页 |
| ·退火温度对锗注入ZnO薄膜性质的影响 | 第89-92页 |
| ·X射线衍射分析 | 第89-90页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 N离子注入ZnO基薄膜性质的研究 | 第93-113页 |
| ·引言 | 第93页 |
| ·N离子注入对ZnO:Al薄膜性质的影响 | 第93-96页 |
| ·X射线衍射分析 | 第94-95页 |
| ·透射光谱分析 | 第95-96页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第96页 |
| ·退火温度对N注入ZnO:Al薄膜性质的影响 | 第96-102页 |
| ·X射线衍射分析 | 第97-99页 |
| ·透射光谱分析 | 第99-101页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第101-102页 |
| ·电学性质分析 | 第102页 |
| ·N注入对ZnO:Mg薄膜性质的影响 | 第102-106页 |
| ·X射线衍射分析 | 第104页 |
| ·吸收光谱分析 | 第104-105页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第105-106页 |
| ·电学性质分析 | 第106页 |
| ·退火温度对氮注入ZnO:Mg薄膜的影响 | 第106-111页 |
| ·X射线衍射分析 | 第106-108页 |
| ·吸收光谱分析 | 第108-110页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第110-111页 |
| ·电学性质分析 | 第111页 |
| ·本章小结 | 第111-113页 |
| 第七章 结论 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-129页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第129-130页 |