| 摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| ·铁电材料的研究进展 | 第15页 |
| ·铁电薄膜的制备技术及其特点 | 第15-19页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第16-17页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法(MOCVD) | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第18页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第18-19页 |
| ·铁电薄膜材料在器件上的应用 | 第19-22页 |
| ·铁电薄膜在微机电系统中的应用 | 第20-21页 |
| ·铁电薄膜在存储器件中的应用 | 第21页 |
| ·铁电薄膜在微波器件中的应用 | 第21-22页 |
| ·本论文研究的目的、意义及选题依据 | 第22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 PSTT 薄膜的结构与性能 | 第24-33页 |
| ·钽钪酸铅PB(SC_(1/2)TA_(1/2))O_3(PST)的结构与相变 | 第24-25页 |
| ·PST 的晶体学结构 | 第24页 |
| ·PST 的铁电相变 | 第24-25页 |
| ·PST 的性能及应用 | 第25-27页 |
| ·PST 铁电薄膜制备技术 | 第27-28页 |
| ·PST-PT 的结构与相图 | 第28-29页 |
| ·PST-PT 的性能 | 第29-30页 |
| 本章小结 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第三章 PSTT 薄膜的制备 | 第33-45页 |
| ·磁控溅射法原理及特点 | 第33-35页 |
| ·磁控溅射原理 | 第33-34页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第34-35页 |
| ·影响磁控溅射薄膜的性能因素 | 第35页 |
| ·PSTT 靶材的制备 | 第35-37页 |
| ·配料 | 第36页 |
| ·球磨 | 第36页 |
| ·一步烧结 | 第36-37页 |
| ·PSTT 薄膜的制备 | 第37-41页 |
| ·基片与电极的选择 | 第37-38页 |
| ·衬底的清洗 | 第38页 |
| ·缓冲层的制备 | 第38-39页 |
| ·PSTT 铁电薄膜的制备 | 第39-40页 |
| ·薄膜的退火 | 第40页 |
| ·上电极的制备 | 第40-41页 |
| ·结构和形貌表征技术 | 第41-43页 |
| ·SEM 的工作原理 | 第41页 |
| ·AFM 的工作原理 | 第41-42页 |
| ·X 射线衍射原理 | 第42-43页 |
| 本章小结 | 第43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 PSTT 薄膜性能的研究 | 第45-64页 |
| ·PSTT 薄膜的结构分析 | 第45-52页 |
| ·衬底温度对PSTT 薄膜结构的影响 | 第45-49页 |
| ·不同基底对PSTT 薄膜结构的影响 | 第49-50页 |
| ·不同退火方式薄膜结构的影响 | 第50-51页 |
| ·保温时间对薄膜结构的影响 | 第51-52页 |
| ·PSTT 薄膜的形貌分析 | 第52-55页 |
| ·PSTT 薄膜的AFM 分析 | 第52-55页 |
| ·PSTT 薄膜的SEM 分析 | 第55页 |
| ·PSTT 薄膜的电学性能 | 第55-61页 |
| ·PSTT 薄膜的频率-介电常数、频率-介电损耗分析 | 第55-58页 |
| ·PSTT 薄膜的铁电性能 | 第58-59页 |
| ·PSTT 薄膜的漏电流特性 | 第59-61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第五章 PZT 多层膜的性能研究 | 第64-76页 |
| ·铁电多层膜和铁电超晶格 | 第64-66页 |
| ·铁电超晶格 | 第64-65页 |
| ·铁电多层膜 | 第65-66页 |
| ·PZT 多层膜 | 第66-68页 |
| ·PZT 多层膜的制备 | 第68-69页 |
| ·PZT 多层膜的性能研究 | 第69-72页 |
| 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第六章 主要研究结论及进一步工作建议 | 第76-78页 |
| ·主要的研究结论 | 第76-77页 |
| ·进一步的工作建议 | 第77-78页 |
| 附录 | 第78-80页 |
| 攻读硕士期间已发表或待发表论文 | 第78-79页 |
| 作者在攻读硕士期间参与的科研项目 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |