| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 攻读博士学位期间论文发表情况 | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 扫描隧道显微学及其在单分子科学中的应用 | 第11-45页 |
| ·扫描隧道显微镜的发明与发展 | 第11-13页 |
| ·扫描隧道显微镜工作原理与实验方法 | 第13-22页 |
| ·STM工作原理 | 第13-16页 |
| ·UHV LT-STM系统 | 第16-19页 |
| ·STM实验方法 | 第19-22页 |
| ·扫描隧道显微学基本理论 | 第22-30页 |
| ·电子隧穿与一维隧穿模型 | 第22-24页 |
| ·修改的Bardeen微扰方法 | 第24-27页 |
| ·Tersoff-Hamann近似 | 第27-28页 |
| ·样品的电子结构及其计算模拟方法 | 第28-30页 |
| ·扫描隧道显微学在单分子科学中的应用 | 第30-43页 |
| ·单分子结构表征与化学鉴别 | 第30-38页 |
| ·单分子操纵与单分子选键化学 | 第38-42页 |
| ·小结与展望 | 第42-43页 |
| ·本论文研究工作 | 第43-45页 |
| 第二章 利用单分子选键化学调控钴酞菁分子自旋态 | 第45-97页 |
| ·研究背景 | 第45-58页 |
| ·近藤效应与近藤共振 | 第45-49页 |
| ·纳米结构中的近藤效应 | 第49-51页 |
| ·单个原子的近藤效应 | 第51-57页 |
| ·单个分子的近藤效应 | 第57-58页 |
| ·CoPc分子及其吸附特性 | 第58-68页 |
| ·CoPc分子结构与电子结构 | 第58-61页 |
| ·CoPc分子在Au(111)表面的吸附 | 第61-64页 |
| ·Au(111)表面吸附CoPc分子的STM研究 | 第64-68页 |
| ·CoPc分子的脱氢与近藤共振 | 第68-79页 |
| ·STM诱导单分子脱氢 | 第68-70页 |
| ·CoPc分子的脱氢 | 第70-72页 |
| ·d-CoPc分子的STM研究 | 第72-74页 |
| ·近藤共振随温度的变化 | 第74-77页 |
| ·CuPc与CoPc分子的对比 | 第77-79页 |
| ·CoPc与d-CoPc的STM操纵 | 第79-81页 |
| ·CoPc分子近藤效应的理论分析 | 第81-88页 |
| ·CoPc与d-CoPc分子的第一性原理研究 | 第81-87页 |
| ·d-CoPc/Au(111)体系的近藤效应研究 | 第87-88页 |
| ·不同吸附环境对CoPc分子近藤效应的调制 | 第88-94页 |
| ·CoPc分子在Au(111)台阶处的吸附 | 第88-90页 |
| ·Au(111)台阶处CoPc分子的脱氢及近藤效应 | 第90-92页 |
| ·Au(111)台阶处CoPc分子近藤效应的温度变化 | 第92-94页 |
| ·小结与展望 | 第94-97页 |
| 第三章 单个Ge原子在Si(111)-(7×7)表面的吸附态 | 第97-121页 |
| ·研究背景 | 第97-100页 |
| ·Si(111)-(7×7)表面的结构 | 第97-98页 |
| ·Ge在Si(111)-(7×7)表面的吸附与生长 | 第98-100页 |
| ·Si(111)-(7×7)表面的制备与Ge原子沉积 | 第100-102页 |
| ·Si(111)-(7×7)表面的制备 | 第100-102页 |
| ·电子束蒸发Ge原子 | 第102页 |
| ·高温(420K)下Ge的吸附及取代 | 第102-104页 |
| ·室温下Ge的吸附及扩散研究 | 第104-108页 |
| ·STM图像分析 | 第104-106页 |
| ·Ge原子扩散的I-t谱研究 | 第106-108页 |
| ·室温吸附Ge的低温STM研究 | 第108-117页 |
| ·实验结果及理论分析 | 第109-112页 |
| ·STM图像模拟与验证 | 第112-115页 |
| ·电场效应与吸附位间跃迁 | 第115-117页 |
| ·室温吸附Ge、高温退火的初步研究 | 第117-118页 |
| ·小结与展望 | 第118-121页 |
| 第四章 Si(111)-(7×7)表面自组装Ag团簇的整流效应 | 第121-145页 |
| ·研究背景 | 第121-125页 |
| ·Si(111)-(7×7)表面的全同纳米团簇 | 第121-122页 |
| ·纳米结构中的整流效应 | 第122-123页 |
| ·单个Ag原子在Si(111)-(7×7)表面的吸附 | 第123-125页 |
| ·实验方法 | 第125页 |
| ·2个Ag原子在Si(111)-(7×7)表面的吸附 | 第125-127页 |
| ·Si(111)-(7×7)半元胞内的Ag团簇 | 第127-130页 |
| ·Ag团簇的整流效应 | 第130-141页 |
| ·I-V谱中的二极管整流效应 | 第130-134页 |
| ·I-V谱随电流的变化 | 第134-136页 |
| ·I-z谱分析 | 第136-139页 |
| ·不同电流下的STM图像 | 第139-141页 |
| ·初步的理论分析 | 第141-143页 |
| ·小结与展望 | 第143-145页 |
| 附录A 参考文献 | 第145-153页 |
| 附录B 个人简历 | 第153-155页 |
| 附录C 发表论文被引用情况 | 第155-157页 |
| 致谢 | 第157页 |
