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非平衡磁控溅射沉积系统放电特性和沉积TiN_x薄膜应用研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
注释说明清单第13-15页
1 绪论第15-48页
   ·磁控溅射沉积技术(MS)发展简介第15-18页
   ·磁控溅射(MS)基础理论和研究方法第18-27页
     ·带电粒子和磁场作用第18-20页
     ·MS的原理第20-21页
     ·MS研究方法第21-23页
     ·MS放电特性和物理过程第23-27页
   ·非平衡磁控溅射沉积技术(UMS)应用第27-31页
     ·UMS系统结构特点第27-29页
     ·UMS系统应用研究第29-31页
   ·磁控溅射沉积纳米复合薄膜研究第31-46页
     ·沉积参数对薄膜表面动力学影响第31-35页
     ·沉积参数对TiN_x薄膜结构、性能影响第35-38页
     ·纳米复合薄膜结构、成分和性能的调制第38-39页
     ·结构-区域模型(SZM)第39-46页
   ·本文研究目标和研究思路第46-48页
     ·研究目标第46-47页
     ·研究内容第47-48页
2 非平衡磁溅射沉积装置和实验方法第48-57页
   ·非平衡磁控溅射沉积装置第48-51页
     ·实验装置介绍第48-49页
     ·薄膜沉积和性能检测方法第49-51页
   ·放电参数研究方法和原理第51-56页
     ·朗谬尔探针原理第51-52页
     ·平面离子收集电极第52-54页
     ·发射光谱的诊断方法第54-55页
     ·发射探针诊断原理第55-56页
   ·本章小结第56-57页
3 等离子体参数诊断结果分析第57-72页
   ·UMS系统磁场分布和作用第57-60页
   ·沉积参数诊断第60-69页
     ·UMS沉积速率和离子电流密度第60-64页
     ·沉积区域等离子体参数诊断第64-67页
     ·发射探针测量空间电位第67-68页
     ·沉积区域粒子相对丰度第68-69页
   ·系统伏安特性第69-70页
   ·本章小结第70-72页
4 永磁式非平衡磁控溅射沉积TiN_x薄膜参数模型和应用第72-92页
   ·实验装置第72-73页
   ·参数模型第73-78页
     ·理论分析第73-74页
     ·磁场影响第74-76页
     ·伏安特性第76页
     ·轴向离子束流第76-78页
   ·模型的拟合计算第78-81页
   ·TiN-x薄膜性能、结构表征第81-87页
     ·显微硬度和摩擦系数表征第81-82页
     ·X射线分析薄膜结构第82-87页
     ·原子力显微分析表面形貌第87页
   ·沉积参数对薄膜影响分析第87-90页
   ·本章小结第90-92页
5 同轴磁场约束非平衡磁控溅射沉积系统放电特性第92-111页
   ·实验装置第92-93页
   ·磁场分布拟合第93-94页
   ·同轴线圈对系统放电特性影响第94-102页
     ·同轴磁场对启辉电压影响第94-96页
     ·同轴磁场对伏安特性影响分析第96-98页
     ·离子束流模型第98-102页
   ·结果与分析第102-109页
     ·伏安特性第102-103页
     ·离子电流密度第103-109页
   ·本章小结第109-111页
6 同轴磁场约束非平衡磁控溅射沉积TiN_x薄膜研究第111-130页
   ·实验过程第111-114页
   ·实验结果第114-122页
     ·显微硬度和摩擦系数第114-115页
     ·显微结构分析第115-120页
     ·表面形貌分析第120-122页
   ·讨论第122-126页
     ·基体偏压影响薄膜性能的机理第123页
     ·基体温度影响机理第123-124页
     ·溅射功率和f(N_2/Ar)的影响机理第124-125页
     ·离子轰击效应作用分析第125-126页
   ·离子/原子到达比对薄膜特性影响第126-128页
   ·本章小结第128-130页
7 结论与展望第130-133页
   ·结论第130-131页
   ·展望第131-133页
参考文献第133-145页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第145-146页
创新点摘要第146-147页
致谢第147-148页
大连理工大学学位论文版权使用授权书第148页

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