摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
注释说明清单 | 第13-15页 |
1 绪论 | 第15-48页 |
·磁控溅射沉积技术(MS)发展简介 | 第15-18页 |
·磁控溅射(MS)基础理论和研究方法 | 第18-27页 |
·带电粒子和磁场作用 | 第18-20页 |
·MS的原理 | 第20-21页 |
·MS研究方法 | 第21-23页 |
·MS放电特性和物理过程 | 第23-27页 |
·非平衡磁控溅射沉积技术(UMS)应用 | 第27-31页 |
·UMS系统结构特点 | 第27-29页 |
·UMS系统应用研究 | 第29-31页 |
·磁控溅射沉积纳米复合薄膜研究 | 第31-46页 |
·沉积参数对薄膜表面动力学影响 | 第31-35页 |
·沉积参数对TiN_x薄膜结构、性能影响 | 第35-38页 |
·纳米复合薄膜结构、成分和性能的调制 | 第38-39页 |
·结构-区域模型(SZM) | 第39-46页 |
·本文研究目标和研究思路 | 第46-48页 |
·研究目标 | 第46-47页 |
·研究内容 | 第47-48页 |
2 非平衡磁溅射沉积装置和实验方法 | 第48-57页 |
·非平衡磁控溅射沉积装置 | 第48-51页 |
·实验装置介绍 | 第48-49页 |
·薄膜沉积和性能检测方法 | 第49-51页 |
·放电参数研究方法和原理 | 第51-56页 |
·朗谬尔探针原理 | 第51-52页 |
·平面离子收集电极 | 第52-54页 |
·发射光谱的诊断方法 | 第54-55页 |
·发射探针诊断原理 | 第55-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
3 等离子体参数诊断结果分析 | 第57-72页 |
·UMS系统磁场分布和作用 | 第57-60页 |
·沉积参数诊断 | 第60-69页 |
·UMS沉积速率和离子电流密度 | 第60-64页 |
·沉积区域等离子体参数诊断 | 第64-67页 |
·发射探针测量空间电位 | 第67-68页 |
·沉积区域粒子相对丰度 | 第68-69页 |
·系统伏安特性 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70-72页 |
4 永磁式非平衡磁控溅射沉积TiN_x薄膜参数模型和应用 | 第72-92页 |
·实验装置 | 第72-73页 |
·参数模型 | 第73-78页 |
·理论分析 | 第73-74页 |
·磁场影响 | 第74-76页 |
·伏安特性 | 第76页 |
·轴向离子束流 | 第76-78页 |
·模型的拟合计算 | 第78-81页 |
·TiN-x薄膜性能、结构表征 | 第81-87页 |
·显微硬度和摩擦系数表征 | 第81-82页 |
·X射线分析薄膜结构 | 第82-87页 |
·原子力显微分析表面形貌 | 第87页 |
·沉积参数对薄膜影响分析 | 第87-90页 |
·本章小结 | 第90-92页 |
5 同轴磁场约束非平衡磁控溅射沉积系统放电特性 | 第92-111页 |
·实验装置 | 第92-93页 |
·磁场分布拟合 | 第93-94页 |
·同轴线圈对系统放电特性影响 | 第94-102页 |
·同轴磁场对启辉电压影响 | 第94-96页 |
·同轴磁场对伏安特性影响分析 | 第96-98页 |
·离子束流模型 | 第98-102页 |
·结果与分析 | 第102-109页 |
·伏安特性 | 第102-103页 |
·离子电流密度 | 第103-109页 |
·本章小结 | 第109-111页 |
6 同轴磁场约束非平衡磁控溅射沉积TiN_x薄膜研究 | 第111-130页 |
·实验过程 | 第111-114页 |
·实验结果 | 第114-122页 |
·显微硬度和摩擦系数 | 第114-115页 |
·显微结构分析 | 第115-120页 |
·表面形貌分析 | 第120-122页 |
·讨论 | 第122-126页 |
·基体偏压影响薄膜性能的机理 | 第123页 |
·基体温度影响机理 | 第123-124页 |
·溅射功率和f(N_2/Ar)的影响机理 | 第124-125页 |
·离子轰击效应作用分析 | 第125-126页 |
·离子/原子到达比对薄膜特性影响 | 第126-128页 |
·本章小结 | 第128-130页 |
7 结论与展望 | 第130-133页 |
·结论 | 第130-131页 |
·展望 | 第131-133页 |
参考文献 | 第133-145页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第145-146页 |
创新点摘要 | 第146-147页 |
致谢 | 第147-148页 |
大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第148页 |