| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·问题的提出及研究意义 | 第9-10页 |
| ·合成绝缘子的国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·合成绝缘子在国外运行情况 | 第10-11页 |
| ·合成绝缘子在国内的运行情况 | 第11页 |
| ·目前污秽绝缘子的带电检测方法 | 第11-14页 |
| ·本文研究的目的和内容 | 第14-15页 |
| 2 合成绝缘子的憎水性变化影响因素分析 | 第15-25页 |
| ·合成绝缘子憎水性及其评价方法 | 第15-18页 |
| ·合成绝缘子的憎水性特点 | 第15-16页 |
| ·合成绝缘子憎水性的评价方法 | 第16-18页 |
| ·影响合成绝缘子憎水性的因素分析 | 第18-23页 |
| ·浸泡时间及浸泡溶液pH值对合成绝缘子憎水性的影响 | 第18-19页 |
| ·盐密对合成绝缘子憎水性的影响 | 第19-20页 |
| ·灰密对合成绝缘子憎水性的影响 | 第20-21页 |
| ·硅橡胶表面放电过程对憎水性的影响 | 第21-23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 3 合成绝缘子沿面放电的紫外成像特点 | 第25-41页 |
| ·合成绝缘子沿面放电的紫外光子数与泄漏电流关系的试验方法 | 第25-30页 |
| ·试品 | 第25页 |
| ·试验装置 | 第25-28页 |
| ·试验方法 | 第28页 |
| ·特征量的测量 | 第28-30页 |
| ·合成绝缘子沿面放电的紫外光子数与泄漏电流的关系 | 第30-38页 |
| ·不同试验条件下泄漏电流值的分布 | 第30-34页 |
| ·不同试验条件下紫外光子数的分布 | 第34-38页 |
| ·泄漏电流值和紫外光子数的对应关系 | 第38页 |
| ·距离对紫外成像特点的影响 | 第38-39页 |
| ·盐密对紫外光子数的影响 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 4 运行中合成绝缘子的紫外成像特点及闪络特性 | 第41-48页 |
| ·试验方法 | 第41页 |
| ·运行中的合成绝缘子紫外成像特点及闪络试验结果 | 第41-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 5 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 独创性声明 | 第52页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第52页 |