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低压金刚石薄膜制备与研究

文献综述第1-68页
 引言第9-10页
 第一章 概论第10-18页
   ·低压金刚石薄膜生长的基本原理第10-11页
   ·低压金刚石薄膜的合成方法第11-16页
     ·化学气相沉积(CVD)第11-16页
       ·普通化学气相沉积第11-12页
       ·直流等离子体化学气相沉积第12-13页
       ·微波等离子体化学气相沉积法第13-14页
       ·火焰燃烧法第14-15页
       ·热丝化学气相沉积法(HFCVD)第15-16页
   ·CVD法沉积金刚石膜的几种主要方法的评述第16-18页
 第二章 金刚石的形核与生长第18-24页
   ·影响金刚石低压气相形核的一些主要因素第19-20页
     ·衬底的预处理对形核的影响第19页
     ·基体温度对形核的影响第19页
     ·碳源气体的浓度对形核的影响第19-20页
     ·等离子体密度和功率密度对形核的影响第20页
     ·沉积室气压对形核的影响第20页
     ·基体偏压对形核的影响第20页
   ·影响金刚石膜沉积生长的主要因素第20-22页
     ·碳源气体的浓度第21-22页
     ·沉积温度第22页
     ·沉积气压第22页
     ·反应气体的选择第22页
   ·金刚石膜生成的基本条件第22-23页
   ·超平衡氢原子的作用第23-24页
 第三章 金刚石薄膜的应用第24-31页
   ·金刚石力学性质的应用第24-26页
   ·光学性能的应用第26页
   ·电学性能的应用第26-27页
   ·热学性质的应用第27-28页
   ·金刚石的其他优异性能第28-29页
   ·课题选择的背景和意义第29-31页
 第四章 金刚石膜的制备与研究第31-54页
   ·热丝CVD法沉积金刚石膜实验装置及实验步骤第31-33页
     ·实验装置图第31-32页
     ·灯丝结构的设计第32页
     ·实验步骤操作规程第32-33页
   ·实验仪器与用品第33-34页
   ·实验过程第34页
     ·灯丝预处理第34页
     ·金刚石膜沉积过程第34页
   ·结果与讨论第34-53页
     ·基片的预处理第35-37页
     ·甲烷含量第37-41页
     ·基体温度对金刚石膜的影响第41-44页
     ·基体偏压对金刚石膜的影响第44-48页
     ·沉积气压第48-50页
     ·沉积时间第50-53页
   ·小结第53-54页
 第五章 金刚石复合膜的制备研究第54-68页
   ·引言第54页
   ·实验部分第54-56页
     ·实验装置图第54页
     ·金刚石复合膜沉积过程第54-56页
   ·实验结果第56-58页
   ·影响复合膜沉积的主要工艺参数第58-67页
     ·灯丝预处理第58-59页
     ·基体温度第59-62页
     ·甲烷流量和载气流量第62-64页
     ·基体偏压第64-67页
   ·小结第67-68页
参考文献第68-74页
致谢第74-75页
攻读硕士期间发表的学术论文目录第75页

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