| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 学位论文独创性声明和学位论文使用授权声明 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| 1．1 引言 | 第11-12页 |
| 1．2 几种常见的平板显示器 | 第12-16页 |
| 1．3 场发射显示器原理及常用阴极材料 | 第16-19页 |
| 1．3．1 场发射显示器原理 | 第16页 |
| 1．3．2 场致发射阴极材料 | 第16-19页 |
| 1．4 纳米结构的场发射研究进展 | 第19-26页 |
| 1．4．1 碳纳米管 | 第19-21页 |
| 1．4．2 多孔硅 | 第21-25页 |
| 1．4．3 氧化锌纳米结构 | 第25-26页 |
| 1．5 场发射显示器件研究和产业化进展 | 第26-29页 |
| 1．6 本论文主要研究内容及意义 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-36页 |
| 第二章 场致电子发射理论 | 第36-52页 |
| 2．1 引言 | 第36页 |
| 2．2 金属的场致电子发射 | 第36-46页 |
| 2．2．1 金属尖端的外场致电子发射 | 第36-37页 |
| 2．2．2 场致电子发射的定性解释 | 第37-39页 |
| 2．2．3 场致电子发射的定量解析 | 第39-46页 |
| 2．3 半导体外场致发射 | 第46-50页 |
| 2．3．1 表面势垒的影响 | 第46-48页 |
| 2．3．2 场致发射电流公式 | 第48-50页 |
| 2．4 半导体内场致发射 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 碳纳米管阴极制备及场发射性能 | 第52-74页 |
| 3．1 碳纳米管概述 | 第52-58页 |
| 3．1．1 结构 | 第52-55页 |
| 3．1．2 制备方法 | 第55页 |
| 3．1．3 物理和化学性质 | 第55-58页 |
| 3．2 碳纳米管薄膜阴极制备及后处理工艺 | 第58-62页 |
| 3．2．1 丝网印刷法 | 第58-60页 |
| 3．2．2 电泳淀积技术 | 第60-61页 |
| 3．2．3 后处理工艺 | 第61-62页 |
| 3．3 碳纳米管场发射性能测试 | 第62-71页 |
| 3．3．1 测试装置及评价参数 | 第62-64页 |
| 3．3．2 性能测试 | 第64-71页 |
| 3．4 本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第四章 碳纳米管薄膜表征 | 第74-87页 |
| 4．1 SEM和TEM表征 | 第74-79页 |
| 4．2 Raman光谱、XPS和FTIR透射光谱 | 第79-83页 |
| 4．3 电性质及氢等离子体处理对场发射性能改善的原因 | 第83-85页 |
| 4．4 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第五章 球磨、可溶性碳纳米管的电子场发射性能 | 第87-102页 |
| 5．1 高能球磨对多壁碳纳米管的影响 | 第87-94页 |
| 5．2 可溶性碳纳米管场发射性能 | 第94-99页 |
| 5．3 本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第六章 纳米硅薄膜的电子场发射性能 | 第102-113页 |
| 6．1 颗粒尺寸和膜厚的影响 | 第103-108页 |
| 6．2 纳米硅与多孔硅薄膜比较及氢等离子体处理的影响 | 第108-110页 |
| 6．3 本章小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-113页 |
| 第七章 氧化锌纳米结构的制备及场发射性能 | 第113-133页 |
| 7．1 热蒸发法 | 第113-122页 |
| 7．1．1 ZnO纳米结构制备及场发射性能 | 第113-118页 |
| 7．1．2 纳米硅和多孔硅衬底上ZnO生长及场发射性能 | 第118-122页 |
| 7．2 气相输运法 | 第122-130页 |
| 7．2．1 铜填充多孔硅衬底上ZnO生长及场发射性能 | 第122-128页 |
| 7．2．2 图形化生长 | 第128-130页 |
| 7．3 本章小结 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 第八章 结论及展望 | 第133-136页 |
| 博士期间发表论文 | 第136-139页 |
| 致谢 | 第139页 |
