第一章 绪论 | 第1-24页 |
·总述 | 第10-11页 |
·高功率微波源器件的分类 | 第11-12页 |
·高功率微波源器件研究的理论基础 | 第12-13页 |
·混沌(chaos)现象的描述 | 第13-15页 |
·本文的研究背景 | 第15-17页 |
·本文的创新点 | 第17-19页 |
参考文献 | 第19-24页 |
第二章 描述辐射场非线性演化的积分方程 | 第24-48页 |
·引言 | 第24-26页 |
·磁绝缘传输线振荡器的辐射场演化方程 | 第26-32页 |
·高增益情况下辐射场演化的Landau-Ginzburg方程 | 第32-34页 |
·非稳定阈值点附近方程解的讨论 | 第34-41页 |
·讨论 | 第41-42页 |
·结论 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-45页 |
附录A: 方程(2.30)的推导 | 第45-48页 |
第三章 行波管放大器中场的极限环和混沌行为 | 第48-79页 |
·引言 | 第48-49页 |
·辐射场演化方程和电子运动方程 | 第49-53页 |
·起振电流的确定和场的线性演化 | 第53-56页 |
·极限环和混沌振荡的电流阈值 | 第56-65页 |
·场的非线性行为-极限环和混沌振荡 | 第65-73页 |
·结论 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
附录B: 方程(3.59)的推导 | 第77-79页 |
第四章 磁绝缘传输线振荡器中辐射场的混沌行为 | 第79-95页 |
·引言 | 第79-80页 |
·相对论MILO的基本模型 | 第80-83页 |
·不稳定性与极限环和混沌振荡的电流阈值 | 第83-87页 |
·极限环振荡和混沌 | 第87-88页 |
·MILO和TWT两种器件场混沌行为的比较 | 第88-91页 |
·结论 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-95页 |
第五章 电子运动的混沌现象 | 第95-112页 |
·引言 | 第95-96页 |
·方程 | 第96-97页 |
·电子的混沌轨道 | 第97-102页 |
·电子混沌和场混沌的关系 | 第102-109页 |
·结论 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-112页 |
第六章 结束语 | 第112-114页 |
致谢 | 第114-116页 |
攻读博士学位期间发表和完成的主要论文 | 第116页 |