固相烧结多孔SiC的制备、结构、光致发光和电阻率
| 第1章 绪论 | 第1-14页 |
| 第2章 多孔碳化硅的制备 | 第14-32页 |
| 2．1 SiC粉末的制备 | 第14-16页 |
| 2．2 SiC粉料的净化处理 | 第16-17页 |
| 2．3 SiC粉料的压制成型 | 第17-21页 |
| 2．4 SiC压坯的烧结 | 第21-30页 |
| 2．4．1 烧结基本规律 | 第21-26页 |
| 2．4．2 烧结工艺 | 第26-28页 |
| 2．4．3 试验装置 | 第28-30页 |
| 2．5 烧结后处理 | 第30-32页 |
| 第3章 多孔碳化硅的结构特性 | 第32-46页 |
| 3．1 SEM及AFM分析 | 第32-40页 |
| 3．2 XPS分析 | 第40-41页 |
| 3．3 XRD分析 | 第41-46页 |
| 第4章 多孔碳化硅的光致发光 | 第46-53页 |
| 4．1 光致发光发光原理 | 第46-48页 |
| 4．2 多孔SiC的光致发光 | 第48-51页 |
| 4．3 多孔SiC光致发光机理的探讨 | 第51-53页 |
| 第5章 多孔碳化硅的其它特性 | 第53-64页 |
| 5．1 多孔SiC的电阻率 | 第53-56页 |
| 5．2 多孔SiC的电化学腐蚀 | 第56-64页 |
| 5．2．1 实验装置及过程 | 第57页 |
| 5．2．2 实验结果 | 第57-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
