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钙钛矿纳米晶的光学性能调控及其光电器件应用研究

中文摘要第3-6页
英文摘要第6-14页
1 绪论第14-54页
    1.1 引言第14页
    1.2 半导体纳米晶的物理性质第14-20页
        1.2.1 量子限域效应第15-17页
        1.2.2 表面效应第17-18页
        1.2.3 小尺寸效应第18页
        1.2.4 量子隧道效应第18-19页
        1.2.5 介电域效应第19-20页
    1.3 半导体纳米晶的发光性质第20-24页
        1.3.1 半导体纳米晶的荧光特性第20-22页
        1.3.2 半导体纳米晶的发光机理第22-24页
    1.4 CsPbX_3纳米晶与Mn~(2+)掺杂半导体纳米晶第24-34页
        1.4.1 钙钛矿材料第24-25页
        1.4.2 全无机钙钛矿CsPbX_3纳米晶第25-29页
        1.4.3 Mn~(2+)掺杂半导体纳米晶第29-34页
    1.5 半导体纳米晶的表面修饰第34-39页
        1.5.1 半导体纳米晶的有机物修饰第34-36页
        1.5.2 半导体纳米晶的无机物修饰第36页
        1.5.3 半导体纳米晶的SiO_2包覆第36-37页
        1.5.4 半导体纳米晶异质结第37-39页
    1.6 半导体纳米晶在LED中的应用第39-50页
        1.6.1 半导体纳米晶在电致发光LED中的应用第40-45页
        1.6.2 半导体纳米晶在白光LED中的应用第45-50页
    1.7 本论文的主要研究内容和结构安排第50-54页
        1.7.1 本论文的主要内容第50-52页
        1.7.2 本论文的结构安排第52-54页
2 全无机钙钛矿纳米晶的性能调控及其在单色固态LED中的应用第54-80页
    2.1 引言第54页
    2.2 实验部分第54-58页
        2.2.1 实验试剂和仪器第54-55页
        2.2.2 合成装置第55-56页
        2.2.3 实验步骤第56-57页
        2.2.4 单色LED的制备第57页
        2.2.5 表征仪器第57-58页
    2.3 CsPbBr_3纳米晶的性能表征第58-64页
        2.3.1 CsPbBr_3纳米晶的结构表征第58-59页
        2.3.2 CsPbBr_3纳米晶的形貌表征第59-61页
        2.3.3 CsPbBr_3纳米晶的光学性能表征第61-64页
    2.4 CsPbBr_3纳米晶的性能调控第64-71页
        2.4.1 CsPbBr_3纳米晶的形貌调控第64-68页
        2.4.2 CsPbBr_3纳米晶的结构调控第68-69页
        2.4.3 CsPbBr_3纳米晶的光学性能调控第69-71页
    2.5 CsPbX_3钙钛矿纳米晶的性能研究第71-76页
        2.5.1 CsPbX_3纳米晶的结构和光学性能研究第71-75页
        2.5.2 CsPbX_3纳米晶中阴离子交换研究第75-76页
    2.6 单色固态LED器件性能表征第76-79页
    2.7 本章小结第79-80页
3 表面修饰CsPbBr_3纳米晶及其在电致发光QLED器件中的应用第80-100页
    3.1 引言第80-81页
    3.2 实验部分第81-85页
        3.2.1 实验试剂和仪器第81-83页
        3.2.2 CsPbBr_3纳米晶的制备第83-84页
        3.2.3 ZnO纳米晶的制备第84页
        3.2.4 QLED器件的制备第84页
        3.2.5 表征仪器第84-85页
    3.3 实验结果与讨论第85-93页
        3.3.1 配体对CsPbBr_3纳米晶结构及形貌的影响第85-87页
        3.3.2 配体对CsPbBr_3纳米晶表面性能的影响第87-89页
        3.3.3 配体对CsPbBr_3纳米晶发光性质的影响第89-93页
    3.4 薄膜形态分析第93-94页
        3.4.1 ZnO纳米晶薄膜第93页
        3.4.2 CsPbBr_3纳米晶薄膜第93-94页
    3.5 QLED器件性能表征第94-99页
    3.6 小结第99-100页
4 CsPbX_3/Zn S异质结纳米晶的制备及其在电致发光QLED器件中的应用第100-120页
    4.1 引言第100-101页
    4.2 实验部分第101-105页
        4.2.1 实验试剂和仪器第101-103页
        4.2.2 CsPbX_3/ZnS纳米晶的制备第103-104页
        4.2.3 ZnO纳米晶的制备第104页
        4.2.4 QLED器件的制备第104-105页
        4.2.5 表征仪器第105页
        4.2.6 第一原理计算第105页
    4.3 实验结果与讨论第105-117页
        4.3.1 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶体的形貌与结构第105-109页
        4.3.2 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶的理论计算第109-114页
        4.3.3 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶的光学性能第114-117页
        4.3.4 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶的QLED应用第117页
    4.4 小结第117-120页
5 SiO_2包裹Mn~(2+)掺杂CsPbCl_3纳米晶的制备及其在白光LED中的应用第120-150页
    5.1 引言第120-122页
    5.2 实验部分第122-125页
        5.2.1 实验试剂和仪器第122-123页
        5.2.2 Mn~(2+)掺杂CsPbCl_3纳米晶的制备第123-124页
        5.2.3 白光LED的制备第124页
        5.2.4 表征仪器第124-125页
    5.3 实验结果与讨论第125-134页
        5.3.1 CsPbMnCl_3纳米晶的性能表征第125-128页
        5.3.2 温度对CsPbMnCl_3纳米晶性能的影响第128-131页
        5.3.3 Mn~(2+)浓度对CsPbMnCl_3纳米晶性能的影响第131-134页
    5.4 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的制备及其在白光LED应用第134-149页
        5.4.1 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的结构与表面性能第134-137页
        5.4.2 CsPbMnCl_3@SiO_2复合材料的光学性能第137-140页
        5.4.3 CsPbMnCl_3@SiO_2复合材料中的能量跃迁第140-142页
        5.4.4 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的稳定性第142-145页
        5.4.5 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的白光LED应用第145-149页
    5.5 本章小结第149-150页
6 CsPbMnX_3@SiO_2核壳结构纳米晶的室温制备及其在白光LED中的应用第150-182页
    6.1 引言第150-152页
    6.2 实验部分第152-154页
        6.2.1 实验试剂和仪器第152-153页
        6.2.2 Mn~(2+)掺杂CsPbX_3纳米晶的制备第153页
        6.2.3 SiO_2包裹CsPbMnCl_3纳米晶的制备第153-154页
        6.2.4 白光LED的制备第154页
        6.2.5 表征仪器第154页
    6.3 实验结果与讨论第154-180页
        6.3.1 不同卤素对CsPbMnX_3纳米晶结构的影响第154-160页
        6.3.2 不同卤素对CsPbMnX_3光学性质的影响第160-163页
        6.3.3 CsPbMnX_3纳米晶在LED上的应用第163-165页
        6.3.4 CsPbMnX_3@SiO_2纳米晶的制备与表征第165-178页
        6.3.5 CsPbMnX_3@SiO_2纳米晶的白光LED应用第178-180页
    6.4 小结第180-182页
7 总结与展望第182-184页
    7.1 论文总结第182-183页
    7.2 展望第183-184页
参考文献第184-206页
附录第206-210页
    A 作者在攻读博士学位期间发表的学术论文目录第206-208页
    B 作者在攻读博士学位期间所授权专利第208页
    C 作者在攻读学位期间参加的科研项目第208页
    D 作者在攻读博士学位期间参加的学术会议第208-209页
    E 作者在攻读博士学位期间的获奖情况第209页
    F 学位论文数据集第209-210页
致谢第210-211页

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