中文摘要 | 第3-6页 |
英文摘要 | 第6-14页 |
1 绪论 | 第14-54页 |
1.1 引言 | 第14页 |
1.2 半导体纳米晶的物理性质 | 第14-20页 |
1.2.1 量子限域效应 | 第15-17页 |
1.2.2 表面效应 | 第17-18页 |
1.2.3 小尺寸效应 | 第18页 |
1.2.4 量子隧道效应 | 第18-19页 |
1.2.5 介电域效应 | 第19-20页 |
1.3 半导体纳米晶的发光性质 | 第20-24页 |
1.3.1 半导体纳米晶的荧光特性 | 第20-22页 |
1.3.2 半导体纳米晶的发光机理 | 第22-24页 |
1.4 CsPbX_3纳米晶与Mn~(2+)掺杂半导体纳米晶 | 第24-34页 |
1.4.1 钙钛矿材料 | 第24-25页 |
1.4.2 全无机钙钛矿CsPbX_3纳米晶 | 第25-29页 |
1.4.3 Mn~(2+)掺杂半导体纳米晶 | 第29-34页 |
1.5 半导体纳米晶的表面修饰 | 第34-39页 |
1.5.1 半导体纳米晶的有机物修饰 | 第34-36页 |
1.5.2 半导体纳米晶的无机物修饰 | 第36页 |
1.5.3 半导体纳米晶的SiO_2包覆 | 第36-37页 |
1.5.4 半导体纳米晶异质结 | 第37-39页 |
1.6 半导体纳米晶在LED中的应用 | 第39-50页 |
1.6.1 半导体纳米晶在电致发光LED中的应用 | 第40-45页 |
1.6.2 半导体纳米晶在白光LED中的应用 | 第45-50页 |
1.7 本论文的主要研究内容和结构安排 | 第50-54页 |
1.7.1 本论文的主要内容 | 第50-52页 |
1.7.2 本论文的结构安排 | 第52-54页 |
2 全无机钙钛矿纳米晶的性能调控及其在单色固态LED中的应用 | 第54-80页 |
2.1 引言 | 第54页 |
2.2 实验部分 | 第54-58页 |
2.2.1 实验试剂和仪器 | 第54-55页 |
2.2.2 合成装置 | 第55-56页 |
2.2.3 实验步骤 | 第56-57页 |
2.2.4 单色LED的制备 | 第57页 |
2.2.5 表征仪器 | 第57-58页 |
2.3 CsPbBr_3纳米晶的性能表征 | 第58-64页 |
2.3.1 CsPbBr_3纳米晶的结构表征 | 第58-59页 |
2.3.2 CsPbBr_3纳米晶的形貌表征 | 第59-61页 |
2.3.3 CsPbBr_3纳米晶的光学性能表征 | 第61-64页 |
2.4 CsPbBr_3纳米晶的性能调控 | 第64-71页 |
2.4.1 CsPbBr_3纳米晶的形貌调控 | 第64-68页 |
2.4.2 CsPbBr_3纳米晶的结构调控 | 第68-69页 |
2.4.3 CsPbBr_3纳米晶的光学性能调控 | 第69-71页 |
2.5 CsPbX_3钙钛矿纳米晶的性能研究 | 第71-76页 |
2.5.1 CsPbX_3纳米晶的结构和光学性能研究 | 第71-75页 |
2.5.2 CsPbX_3纳米晶中阴离子交换研究 | 第75-76页 |
2.6 单色固态LED器件性能表征 | 第76-79页 |
2.7 本章小结 | 第79-80页 |
3 表面修饰CsPbBr_3纳米晶及其在电致发光QLED器件中的应用 | 第80-100页 |
3.1 引言 | 第80-81页 |
3.2 实验部分 | 第81-85页 |
3.2.1 实验试剂和仪器 | 第81-83页 |
3.2.2 CsPbBr_3纳米晶的制备 | 第83-84页 |
3.2.3 ZnO纳米晶的制备 | 第84页 |
3.2.4 QLED器件的制备 | 第84页 |
3.2.5 表征仪器 | 第84-85页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第85-93页 |
3.3.1 配体对CsPbBr_3纳米晶结构及形貌的影响 | 第85-87页 |
3.3.2 配体对CsPbBr_3纳米晶表面性能的影响 | 第87-89页 |
3.3.3 配体对CsPbBr_3纳米晶发光性质的影响 | 第89-93页 |
3.4 薄膜形态分析 | 第93-94页 |
3.4.1 ZnO纳米晶薄膜 | 第93页 |
3.4.2 CsPbBr_3纳米晶薄膜 | 第93-94页 |
3.5 QLED器件性能表征 | 第94-99页 |
3.6 小结 | 第99-100页 |
4 CsPbX_3/Zn S异质结纳米晶的制备及其在电致发光QLED器件中的应用 | 第100-120页 |
4.1 引言 | 第100-101页 |
4.2 实验部分 | 第101-105页 |
4.2.1 实验试剂和仪器 | 第101-103页 |
4.2.2 CsPbX_3/ZnS纳米晶的制备 | 第103-104页 |
4.2.3 ZnO纳米晶的制备 | 第104页 |
4.2.4 QLED器件的制备 | 第104-105页 |
4.2.5 表征仪器 | 第105页 |
4.2.6 第一原理计算 | 第105页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第105-117页 |
4.3.1 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶体的形貌与结构 | 第105-109页 |
4.3.2 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶的理论计算 | 第109-114页 |
4.3.3 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶的光学性能 | 第114-117页 |
4.3.4 CsPbX_3/ZnS异质结纳米晶的QLED应用 | 第117页 |
4.4 小结 | 第117-120页 |
5 SiO_2包裹Mn~(2+)掺杂CsPbCl_3纳米晶的制备及其在白光LED中的应用 | 第120-150页 |
5.1 引言 | 第120-122页 |
5.2 实验部分 | 第122-125页 |
5.2.1 实验试剂和仪器 | 第122-123页 |
5.2.2 Mn~(2+)掺杂CsPbCl_3纳米晶的制备 | 第123-124页 |
5.2.3 白光LED的制备 | 第124页 |
5.2.4 表征仪器 | 第124-125页 |
5.3 实验结果与讨论 | 第125-134页 |
5.3.1 CsPbMnCl_3纳米晶的性能表征 | 第125-128页 |
5.3.2 温度对CsPbMnCl_3纳米晶性能的影响 | 第128-131页 |
5.3.3 Mn~(2+)浓度对CsPbMnCl_3纳米晶性能的影响 | 第131-134页 |
5.4 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的制备及其在白光LED应用 | 第134-149页 |
5.4.1 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的结构与表面性能 | 第134-137页 |
5.4.2 CsPbMnCl_3@SiO_2复合材料的光学性能 | 第137-140页 |
5.4.3 CsPbMnCl_3@SiO_2复合材料中的能量跃迁 | 第140-142页 |
5.4.4 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的稳定性 | 第142-145页 |
5.4.5 CsPbMnCl_3@SiO_2复合物的白光LED应用 | 第145-149页 |
5.5 本章小结 | 第149-150页 |
6 CsPbMnX_3@SiO_2核壳结构纳米晶的室温制备及其在白光LED中的应用 | 第150-182页 |
6.1 引言 | 第150-152页 |
6.2 实验部分 | 第152-154页 |
6.2.1 实验试剂和仪器 | 第152-153页 |
6.2.2 Mn~(2+)掺杂CsPbX_3纳米晶的制备 | 第153页 |
6.2.3 SiO_2包裹CsPbMnCl_3纳米晶的制备 | 第153-154页 |
6.2.4 白光LED的制备 | 第154页 |
6.2.5 表征仪器 | 第154页 |
6.3 实验结果与讨论 | 第154-180页 |
6.3.1 不同卤素对CsPbMnX_3纳米晶结构的影响 | 第154-160页 |
6.3.2 不同卤素对CsPbMnX_3光学性质的影响 | 第160-163页 |
6.3.3 CsPbMnX_3纳米晶在LED上的应用 | 第163-165页 |
6.3.4 CsPbMnX_3@SiO_2纳米晶的制备与表征 | 第165-178页 |
6.3.5 CsPbMnX_3@SiO_2纳米晶的白光LED应用 | 第178-180页 |
6.4 小结 | 第180-182页 |
7 总结与展望 | 第182-184页 |
7.1 论文总结 | 第182-183页 |
7.2 展望 | 第183-184页 |
参考文献 | 第184-206页 |
附录 | 第206-210页 |
A 作者在攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第206-208页 |
B 作者在攻读博士学位期间所授权专利 | 第208页 |
C 作者在攻读学位期间参加的科研项目 | 第208页 |
D 作者在攻读博士学位期间参加的学术会议 | 第208-209页 |
E 作者在攻读博士学位期间的获奖情况 | 第209页 |
F 学位论文数据集 | 第209-210页 |
致谢 | 第210-211页 |