Ti-Si-N表面生长过程的无格点KMC仿真及相应并行计算研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 引言 | 第10-13页 |
| 第一章 Ti-Si-N 薄膜研究现状 | 第13-19页 |
| ·Ti-Si-N 纳米复合膜的制备方法 | 第14-16页 |
| ·Ti-Si-N 薄膜的特性 | 第16-17页 |
| ·Ti-Si-N 薄膜的微观结构 | 第17-18页 |
| ·Ti-Si-N 薄膜研究中出现的问题 | 第18-19页 |
| 第二章 薄膜生长的过程KMC 仿真理论 | 第19-40页 |
| ·薄膜生长理论 | 第19-22页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第19-20页 |
| ·薄膜的生长模型 | 第20-21页 |
| ·粒子的扩散机制 | 第21-22页 |
| ·薄膜生长的模拟方法 | 第22-26页 |
| ·分子动力学 | 第22-23页 |
| ·蒙特卡罗 | 第23-26页 |
| ·原子间相互作用势 | 第26-29页 |
| ·第一原理计算 | 第26-27页 |
| ·紧束缚势 | 第27-28页 |
| ·经验势 | 第28-29页 |
| ·过渡态理论 | 第29-32页 |
| ·势能面搜索方法 | 第32-39页 |
| ·弹性带渐推方法（NEB） | 第33-35页 |
| ·弦方法（String） | 第35-37页 |
| ·双影像方法（Dimer） | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第三章 Ti-Si-N 纳米晶三维无格点仿真程序 | 第40-50页 |
| ·仿真程序的实现 | 第40-42页 |
| ·程序主要模块 | 第40页 |
| ·模型实施具体步骤 | 第40-42页 |
| ·模型建立要点 | 第42-45页 |
| ·仿真程序的技术支持 | 第45-46页 |
| ·对 TiN 仿真结果的测定 | 第46-50页 |
| ·势能面 | 第46-48页 |
| ·粒子位置 | 第48-49页 |
| ·形貌 | 第49-50页 |
| 第四章 基于.NET Remoting的并行计算 | 第50-59页 |
| ·并行计算的必要性 | 第50页 |
| ·并行计算概况 | 第50-55页 |
| ·并行技术在薄膜生长仿真中的实现 | 第55-57页 |
| ·结果测定 | 第57-59页 |
| 第五章 仿真结果分析 | 第59-71页 |
| ·模式识别方法 | 第59-60页 |
| ·晶粒尺寸的识别 | 第59页 |
| ·粗糙度的识别 | 第59-60页 |
| ·Ti-Si-N 薄膜生长仿真结果分析 | 第60-71页 |
| ·温度的影响 | 第60-63页 |
| ·Si 含量情的影响 | 第63-67页 |
| ·沉积率的影响 | 第67-71页 |
| 结论和展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 在学研究成果 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
