复合型尖锥场发射阵列制备工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·场发射技术的发展历史与现状 | 第10-11页 |
| ·场发射阵列阴极的应用领域 | 第11-16页 |
| ·场发射平板显示 | 第11-13页 |
| ·高功率微波真空器件 | 第13-14页 |
| ·场发射传感器 | 第14-16页 |
| ·论文选题的目的和课题研究的意义 | 第16-18页 |
| ·场发射阵列阴极研究现状 | 第16-18页 |
| ·本课题研究目的和意义 | 第18页 |
| ·论文主要研究的内容 | 第18-20页 |
| 第二章 场致发射的基本理论 | 第20-28页 |
| ·场致发射的物理含义 | 第20-21页 |
| ·场发射方程——福勒-诺德海姆公式 | 第21-23页 |
| ·金属和半导体接触理论 | 第23-24页 |
| ·复合型场发射阴极选材料标准 | 第24-26页 |
| ·场发射阵列评价参数 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 复合型场发射阵列阴极的制备 | 第28-46页 |
| ·材料的选用 | 第28-30页 |
| ·LaB_6 材料的物理和化学特性 | 第28-29页 |
| ·钼材料的物理和化学特性 | 第29-30页 |
| ·复合型场发射阵列的结构 | 第30页 |
| ·复合型场发射阵列的制作工艺——敷膜型 | 第30-43页 |
| ·硅片的清洗 | 第31-32页 |
| ·绝缘层氧化工艺 | 第32-33页 |
| ·栅极薄膜的制作工艺 | 第33-35页 |
| ·光刻掩膜板的设计 | 第35页 |
| ·牺牲层工艺 | 第35-37页 |
| ·刻蚀工艺 | 第37-39页 |
| ·钼尖锥阵列制备工艺 | 第39-41页 |
| ·钼尖锥沉积六硼化镧薄膜工艺 | 第41-43页 |
| ·复合型场发射阵列的制作工艺——台阶型 | 第43-45页 |
| ·钼台阶型制备 | 第43-44页 |
| ·六硼化镧尖锥的沉积 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 复合型场发射阵列后处理工艺 | 第46-57页 |
| ·常见的失效性研究 | 第46-51页 |
| ·栅极脱落 | 第46-47页 |
| ·阴极和阳极的氧化 | 第47页 |
| ·尖锥的脱落 | 第47-49页 |
| ·尖锥表面的微毛刺和凸起 | 第49页 |
| ·薄膜成分的变化含氧量 | 第49-51页 |
| ·场发射阵列的后处理工艺 | 第51-56页 |
| ·退火工艺 | 第51-54页 |
| ·氢化处理工艺 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 复合型场发射阵列阴极的测试 | 第57-64页 |
| ·三极管测试支架的制作 | 第57-59页 |
| ·阵列阴极的测试 | 第59-63页 |
| ·老炼工艺 | 第59-60页 |
| ·阵列阴极的测试 | 第60-61页 |
| ·试验的结果分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 场发射总结和展望 | 第64-66页 |
| ·本文的工作总结 | 第64-65页 |
| ·下一步工作展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 个人简介 | 第71页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第71-72页 |
