TiO2压敏陶瓷的晶界偏析与势垒结构研究
| 前言 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 1 文献综述与立题依据 | 第12-32页 |
| ·TiO_2压敏陶瓷概述 | 第12-13页 |
| ·TiO_2压敏陶瓷的晶界偏析概述 | 第13-21页 |
| ·TiO_2压敏陶瓷的偏析现象 | 第13-14页 |
| ·晶界偏析机理 | 第14-15页 |
| ·晶界偏析的研究方法 | 第15-17页 |
| ·影响偏析的主要因素 | 第17-20页 |
| ·晶界偏析和第二相对结构和性能的影响 | 第20-21页 |
| ·TiO_2压敏陶瓷的晶界势垒结构概述 | 第21-28页 |
| ·压敏陶瓷的势垒结构 | 第21-27页 |
| ·势垒结构的研究方法 | 第27-28页 |
| ·势垒结构对压敏性能的影响 | 第28页 |
| ·本文的立题依据与意义 | 第28-30页 |
| ·本文主要研究内容 | 第30-32页 |
| ·晶界偏析与晶界势垒的第一原理计算 | 第30页 |
| ·晶界偏析的空间电荷偏析模拟研究 | 第30页 |
| ·晶界偏析机理研究 | 第30-31页 |
| ·晶界势垒结构研究 | 第31-32页 |
| 2 研究方法 | 第32-53页 |
| ·样品制备 | 第32-35页 |
| ·实验原料 | 第32页 |
| ·实验仪器与设备 | 第32-33页 |
| ·实验过程 | 第33-35页 |
| ·性能测试 | 第35页 |
| ·结构检测 | 第35-36页 |
| ·空间电荷晶界偏析模拟 | 第36-40页 |
| ·空间电荷晶界偏析模型 | 第36-38页 |
| ·静电势和晶界缺陷浓度 | 第38-40页 |
| ·势垒结构计算 | 第40-43页 |
| ·电学性能测试 | 第40页 |
| ·势垒高度的计算 | 第40-42页 |
| ·势垒宽度的计算 | 第42-43页 |
| ·第一原理计算势垒高度 | 第43-53页 |
| ·TiO_2晶界结构 | 第43-45页 |
| ·晶界模型搭建 | 第45-46页 |
| ·分子力场结构优化 | 第46-47页 |
| ·掺杂晶界模型搭建 | 第47-49页 |
| ·势垒高度计算原理 | 第49-50页 |
| ·偏析能计算 | 第50-53页 |
| 3 TiO_2压敏陶瓷的晶界偏析 | 第53-101页 |
| ·显微结构与组成分析 | 第53-71页 |
| ·不掺杂TiO_2显微结构与组成 | 第53-61页 |
| ·Nb单掺杂TiO_2显微结构与组成 | 第61-64页 |
| ·La单掺杂TiO_2显微结构与组成 | 第64-65页 |
| ·共掺杂TiO_2显微结构与组成 | 第65-71页 |
| ·物相分析 | 第71-76页 |
| ·第二相形成机理 | 第76-82页 |
| ·空间电荷的晶界偏析 | 第82-98页 |
| ·不掺杂TiO_2 | 第83-89页 |
| ·Nb施主掺杂TiO_2 | 第89-91页 |
| ·La受主掺杂TiO_2 | 第91-93页 |
| ·(La,Nb)共掺杂TiO_2 | 第93-98页 |
| ·晶界偏析机理 | 第98-100页 |
| ·弹性能与静电势 | 第98-99页 |
| ·晶界偏析能 | 第99-100页 |
| ·小结 | 第100-101页 |
| 4 TiO_2压敏陶瓷的势垒结构 | 第101-120页 |
| ·势垒结构的形成机制 | 第101-104页 |
| ·偏析和固溶对势垒高度的影响 | 第104-107页 |
| ·掺杂量和烧结温度对势垒结构的影响 | 第107-111页 |
| ·纳米改性对势垒结构的影响 | 第111-115页 |
| ·晶界偏析对势垒结构的影响 | 第115-116页 |
| ·势垒结构对电学性能的影响 | 第116-118页 |
| ·小结 | 第118-120页 |
| 5 结论 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-128页 |
| 附录A 攻博期间发表的论文 | 第128-130页 |
| 附录B 攻博期间主持和参加的科研项目 | 第130-131页 |
| 附录C 攻博期间申请的发明专利 | 第131页 |
