| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| §1.1 引言 | 第10-13页 |
| §1.2 改进型非挥发性存储器 | 第13-16页 |
| §1.2.1 纳米晶浮栅存储器 | 第13-14页 |
| §1.2.2 电荷俘获型存储器 | 第14-16页 |
| §1.3 革命型非挥发性存储器 | 第16-21页 |
| §1.3.1 铁电随机存取存储器(FRAM) | 第16-17页 |
| §1.3.2 磁阻式随机存取存储器(MRAM) | 第17-19页 |
| §1.3.3 相变随机存取存储器(PRAM) | 第19-20页 |
| §1.3.4 阻变随机存取存储器(RRAM) | 第20-21页 |
| §1.4 选题意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-28页 |
| 第二章 RRAM概述 | 第28-68页 |
| §2.1 RRAM的材料体系 | 第29-35页 |
| §2.1.1 有机材料 | 第29-31页 |
| §2.1.2 固态电解液材料 | 第31-33页 |
| §2.1.3 多元金属氧化物 | 第33-35页 |
| §2.1.4 二元金属氧化物 | 第35页 |
| §2.2 RRAM的阻变机制 | 第35-48页 |
| §2.2.1 整体效应 | 第36-40页 |
| §2.2.1.1 界面势垒调节模型 | 第36-38页 |
| §2.2.1.2 电荷陷阱充放电模型 | 第38-40页 |
| §2.2.2 局域效应 | 第40-48页 |
| §2.2.2.1 熔丝与反熔丝模型 | 第41-43页 |
| §2.2.2.2 ECM模型 | 第43-46页 |
| §2.2.2.3 VCM模型 | 第46-48页 |
| §2.3 RRAM的集成结构 | 第48-51页 |
| §2.3.1 1R单元结构 | 第48-49页 |
| §2.3.2 1T1R单元结构 | 第49-50页 |
| §2.3.3 1D1R单元结构 | 第50-51页 |
| §2.4 本章小节 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-68页 |
| 第三章 基于掺杂ZrO_2薄膜的RRAM | 第68-104页 |
| §3.1 器件的制备工艺 | 第68-73页 |
| §3.1.1 M-I-S结构的RRAM制备工艺 | 第69-71页 |
| §3.1.2 M-I-M结构的RRAM制备工艺 | 第71-73页 |
| §3.2 M-I-S结构的RRAM器件 | 第73-86页 |
| §3.2.1 Au/Cr/ZrO_2/n~+-Si器件 | 第73-75页 |
| §3.2.2 Au/Cr/ZrO_2:Zr/n~+-Si器件 | 第75-78页 |
| §3.2.3 Au/Cr/ZrO_2:Au/n~+-Si器件 | 第78-86页 |
| §3.2.3.1 电学特性 | 第78-82页 |
| §3.2.3.2 转变机制 | 第82-86页 |
| §3.3 基于Pt下电极的器件 | 第86-98页 |
| §3.3.1 Cu/ZrO_2/Pt器件 | 第87页 |
| §3.3.2 Cu/ZrO_2:Ti/Pt器件 | 第87-95页 |
| §3.3.2.1 电学特性 | 第88-91页 |
| §3.3.2.2 阻变机制 | 第91-95页 |
| §3.3.3 掺杂的作用与分类 | 第95-98页 |
| §3.4 本章小节 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-104页 |
| 第四章 纳米晶控制导电细丝生长 | 第104-132页 |
| §4.1 控制导电细丝生长的动力学原理 | 第104-109页 |
| §4.1.1 导电细丝形成的微观过程 | 第104-107页 |
| §4.1.2 纳米晶结构的电场模拟 | 第107-109页 |
| §4.2 器件的制备与电学测试 | 第109-118页 |
| §4.2.1 Cu纳米晶的制备工艺 | 第109-110页 |
| §4.2.2 器件的制备工艺 | 第110-115页 |
| §4.2.2.1 微米级器件的制备工艺 | 第110-111页 |
| §4.2.2.2 纳米级器件的制备工艺 | 第111-113页 |
| §4.2.2.3 TEM样品制备工艺 | 第113-115页 |
| §4.2.3 电学性能测试 | 第115-118页 |
| §4.2.3.1 电学特性 | 第115-116页 |
| §4.2.3.2 转变参数分布特性 | 第116-117页 |
| §4.2.3.3 可靠性测试 | 第117-118页 |
| §4.3 Ag/ZrO_2/Cu NC/Pt器件的TEM分析 | 第118-127页 |
| §4.3.1 SET样品的TEM分析 | 第119-122页 |
| §4.3.1.1 导电细丝的形貌分析 | 第119-120页 |
| §4.3.1.2 导电细丝的成分分析 | 第120-122页 |
| §4.3.2 RESET样品的TEM分析 | 第122-125页 |
| §4.3.3 Ag/ZrO_2/Cu NC/Pt器件电阻转变机理 | 第125-127页 |
| §4.4 本章小节 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-132页 |
| 第五章 多值存储的RRAM研究 | 第132-152页 |
| §5.1 器件的制备与材料分析 | 第133-135页 |
| §5.1.1 器件的制备工艺 | 第133-134页 |
| §5.1.2 材料分析 | 第134-135页 |
| §5.2 电学性能测试 | 第135-140页 |
| §5.2.1 电阻转变特性 | 第135-138页 |
| §5.2.2 多值存储特性 | 第138-140页 |
| §5.3 多值存储机制 | 第140-147页 |
| §5.3.1 台阶式电阻转变现象 | 第140-143页 |
| §5.3.2 多值存储模型 | 第143-147页 |
| §5.4 本章小节 | 第147-148页 |
| 参考文献 | 第148-152页 |
| 第六章 总结与展望 | 第152-156页 |
| §6.1 论文工作成果总结 | 第152-153页 |
| §6.2 对未来工作的展望 | 第153-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
| 攻读学位期间发表的论文及专利 | 第158-164页 |
