| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 文献综述及选题 | 第9-13页 |
| ·分子器件的研究与发展 | 第9-10页 |
| ·二维石墨烯与六方haeckelite缺陷 | 第10-11页 |
| ·C_(60) | 第11-13页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第13-24页 |
| ·密度泛函理论 | 第13-16页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第13-14页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第14-16页 |
| ·格林函数方法简介 | 第16-17页 |
| ·计算方法 | 第17-20页 |
| ·数值原子轨道(NAO) | 第17-18页 |
| ·赝势(Pseudopotential) | 第18-20页 |
| ·输运性质的计算方法 | 第20页 |
| ·第一性原理计算软件介绍 | 第20-22页 |
| ·SIESTA | 第20-21页 |
| ·ATK | 第21-22页 |
| ·VNL | 第22页 |
| ·计算方案与流程 | 第22-24页 |
| 第三章 二维石墨烯的输运性质及六方haeckelite缺陷的影响 | 第24-38页 |
| ·计算模型与方法 | 第24-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-36页 |
| ·能带结构 | 第27-28页 |
| ·零偏压下的输运性质 | 第28-30页 |
| ·有限偏压下的输运性质 | 第30-36页 |
| ·结论 | 第36-38页 |
| 第四章 C_(60)耦合碳纳米管双电极体系的输运性质与机理 | 第38-46页 |
| ·计算模型与方法 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-45页 |
| ·CNT(6,0)-C_(60)-CNT(6,0)的电子输运机理 | 第41-43页 |
| ·CNT(5,0)-C_(60)-CNT(5,0)的电子输运机理 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 在学期间研究成果 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
