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6H-SiC-(0001)表面Graphene成核的第一原理研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-20页
   ·纳米材料及纳米科技简介第9-11页
   ·石墨片(graphene)介绍第11-14页
   ·碳化硅的介绍第14-18页
   ·本文的主要目的及相应成果第18-20页
第二章 理论方法介绍第20-26页
   ·第一原理方法介绍第20-21页
     ·绝热近似第21页
   ·密度范函理论第21-24页
     ·Kohn-Sham 方程第21-22页
     ·交换关联势第22-23页
     ·赝势第23-24页
   ·VASP 程序简介第24页
   ·论文所涉及到的几个能量计算公式第24-25页
   ·差分电荷密度第25-26页
第三章 6H-SiC-(0001)-(2~(1/3) ×2~(1/3))R30°表面外延生长graphene 缓冲层的成核机理第26-39页
   ·引言第26-28页
   ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附graphene第28-30页
   ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面碳吸附与硅吸附第30-38页
     ·计算模型第31页
     ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面第31-32页
     ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附单个碳原子第32-33页
     ·6H-SiC(0001)-(2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附单个硅原子第33-34页
     ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附两个碳原子第34页
     ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附三个碳原子第34-35页
     ·Si_a 脱附能及置换能第35-38页
   ·本章结论第38-39页
第四章 6H-SiC(0001)不同晶体表面及其对生长过程的影响第39-52页
   ·引言第39-40页
   ·6H-SiC-(0001)六类理想表面第40-43页
     ·计算模型第40-41页
     ·计算结果与讨论第41-43页
       ·结构分析第41-43页
       ·表面能分析第43页
   ·S1、S2、S3 理想表面吸附单个碳原子第43-46页
     ·计算模型第44-45页
     ·计算结果与讨论第45-46页
       ·结构分析第45页
       ·吸附能分析第45-46页
   ·S1、S2、S32~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面第46-51页
     ·计算模型第46-47页
     ·S1、S2、S3 的2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附单个碳原子第47-49页
     ·Si_a 的置换能与脱附能第49-51页
   ·本章结论第51-52页
第五章 总结与展望第52-54页
   ·论文总结第52-53页
   ·后续研究的工作展望第53-54页
参考文献第54-59页
致谢第59-60页
学期间发表的学术论文与研究成果第60页

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