| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·纳米材料及纳米科技简介 | 第9-11页 |
| ·石墨片（graphene）介绍 | 第11-14页 |
| ·碳化硅的介绍 | 第14-18页 |
| ·本文的主要目的及相应成果 | 第18-20页 |
| 第二章 理论方法介绍 | 第20-26页 |
| ·第一原理方法介绍 | 第20-21页 |
| ·绝热近似 | 第21页 |
| ·密度范函理论 | 第21-24页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第21-22页 |
| ·交换关联势 | 第22-23页 |
| ·赝势 | 第23-24页 |
| ·VASP 程序简介 | 第24页 |
| ·论文所涉及到的几个能量计算公式 | 第24-25页 |
| ·差分电荷密度 | 第25-26页 |
| 第三章 6H-SiC-(0001)-(2~(1/3) ×2~(1/3))R30°表面外延生长graphene 缓冲层的成核机理 | 第26-39页 |
| ·引言 | 第26-28页 |
| ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附graphene | 第28-30页 |
| ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面碳吸附与硅吸附 | 第30-38页 |
| ·计算模型 | 第31页 |
| ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面 | 第31-32页 |
| ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附单个碳原子 | 第32-33页 |
| ·6H-SiC(0001)-(2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附单个硅原子 | 第33-34页 |
| ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附两个碳原子 | 第34页 |
| ·6H-SiC(0001)-2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附三个碳原子 | 第34-35页 |
| ·Si_a 脱附能及置换能 | 第35-38页 |
| ·本章结论 | 第38-39页 |
| 第四章 6H-SiC(0001)不同晶体表面及其对生长过程的影响 | 第39-52页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·6H-SiC-(0001)六类理想表面 | 第40-43页 |
| ·计算模型 | 第40-41页 |
| ·计算结果与讨论 | 第41-43页 |
| ·结构分析 | 第41-43页 |
| ·表面能分析 | 第43页 |
| ·S1、S2、S3 理想表面吸附单个碳原子 | 第43-46页 |
| ·计算模型 | 第44-45页 |
| ·计算结果与讨论 | 第45-46页 |
| ·结构分析 | 第45页 |
| ·吸附能分析 | 第45-46页 |
| ·S1、S2、S32~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面 | 第46-51页 |
| ·计算模型 | 第46-47页 |
| ·S1、S2、S3 的2~(1/3) ×2~(1/3))R30°重构面吸附单个碳原子 | 第47-49页 |
| ·Si_a 的置换能与脱附能 | 第49-51页 |
| ·本章结论 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| ·论文总结 | 第52-53页 |
| ·后续研究的工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 学期间发表的学术论文与研究成果 | 第60页 |
