| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-48页 |
| ·激光感生电压效应的发现及研究现状 | 第12-16页 |
| ·激光感生电压效应的起源 | 第16-31页 |
| ·光电效应 | 第16-17页 |
| ·光电导 | 第17页 |
| ·光生伏特效应 | 第17-18页 |
| ·丹倍效应 | 第18-20页 |
| ·Seebeck效应 | 第20-30页 |
| ·金属材料的热电势 | 第22-26页 |
| ·半导体材料的热电势 | 第26-30页 |
| ·各向异性Seebeck效应 | 第30-31页 |
| ·LIV效应的应用 | 第31-32页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第32-38页 |
| ·PLD镀膜系统及沉积过程 | 第33-34页 |
| ·PLD制备薄膜的主要影响因素 | 第34-37页 |
| ·衬底温度 | 第35页 |
| ·激光能量密度 | 第35-36页 |
| ·气压及气氛 | 第36页 |
| ·衬底到靶材的距离 | 第36页 |
| ·组份的影响 | 第36-37页 |
| ·PLD技术镀膜特点 | 第37-38页 |
| ·PLD法制备氧化物半导体薄膜的工艺流程及过程控制 | 第38页 |
| ·LIV效应的实验研究方法 | 第38-39页 |
| ·R-T曲线的实验研究方法 | 第39-42页 |
| ·电阻-温度关系测量 | 第39页 |
| ·测量原理及组建系统 | 第39-41页 |
| ·四探针法 | 第40页 |
| ·电极的制备 | 第40-41页 |
| ·微测辐射热仪(Bolometer) | 第41-42页 |
| ·论文课题的提出、研究目的及意义 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第二章 SnO_2薄膜的LIV及其输运性质研究 | 第48-72页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·SnO_2薄膜的性质 | 第49-51页 |
| ·SnO_2薄膜的结构性质 | 第49-50页 |
| ·SnO_2薄膜的电学性质 | 第50-51页 |
| ·SnO_2薄膜的制备 | 第51-53页 |
| ·Sn_(1-x)Fe_xO多晶靶材的合成 | 第51-52页 |
| ·Sn_(1_x)Fe_xO薄膜的生长 | 第52-53页 |
| ·Sn_(1-x)Fe_xO薄膜生长工艺的优化 | 第53-60页 |
| ·纯SnO_2薄膜生长工艺的优化 | 第53-58页 |
| ·衬底材料对SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对SnO_2薄膜的影响 | 第55-56页 |
| ·沉积时间对SnO_2薄膜结构的影响 | 第56-58页 |
| ·掺Fe:SnO_2薄膜生长工艺的优化 | 第58-60页 |
| ·SnO_2薄膜中的LIV效应 | 第60-66页 |
| ·生长温度对LIV效应的影响 | 第60-63页 |
| ·SnO_2/MgO薄膜的LIV效应 | 第60-62页 |
| ·SnO_2/Al_2O_3薄膜的LIV效应 | 第62-63页 |
| ·倾斜角度对LIV效应的影响 | 第63-64页 |
| ·退火氧压对LIV效应的影响 | 第64-65页 |
| ·沉积时间对LIV效应的影响 | 第65-66页 |
| ·SnO_2薄膜R-T关系行为研究 | 第66-67页 |
| ·激光对薄膜结构稳定性的影响 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-72页 |
| 第三章 TiO_2薄膜的LIV及其输运性质研究 | 第72-94页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·TiO_2的晶体结构与性能 | 第73-76页 |
| ·TiO_2的晶体结构 | 第73-76页 |
| ·TiO_2的能带结构 | 第76页 |
| ·TiO_2薄膜的制备 | 第76-78页 |
| ·TiO_2多晶靶材的合成 | 第76-77页 |
| ·TiO_2薄膜的生长 | 第77-78页 |
| ·TiO_2薄膜生长条件的优化 | 第78-83页 |
| ·Al_2O_3(0001)衬底上生长TiO_2薄膜的结构性质 | 第78-79页 |
| ·LaAlO_3(100)衬底上生长TiO_2薄膜的结构性质 | 第79-81页 |
| ·TiO_2薄膜的单θ扫描分析 | 第81-83页 |
| ·TiO_2薄膜中的LIV效应 | 第83-87页 |
| ·激光能量对LIV的影响 | 第83-85页 |
| ·衬底温度对LIV的影响 | 第85-87页 |
| ·TiO_2薄膜中的R-T关系行为研究 | 第87-89页 |
| ·强激光对薄膜结构稳定性的影响 | 第89-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第四章 ZnO薄膜的LIV及其输运性质研究 | 第94-134页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·ZnO的结构特性 | 第95-96页 |
| ·ZnO薄膜的生长 | 第96-101页 |
| ·靶材的准备 | 第96-97页 |
| ·薄膜的制备 | 第97-101页 |
| ·衬底的选择 | 第97-100页 |
| ·靶材与衬底的安装 | 第100页 |
| ·薄膜生长 | 第100-101页 |
| ·退火处理 | 第101页 |
| ·ZnO薄膜的XRD结构分析 | 第101-105页 |
| ·ZnO薄膜θ-2θ扫描分析 | 第101-102页 |
| ·ZnO薄膜单θ扫描分析 | 第102-103页 |
| ·ZnO薄膜的SEM形貌观察 | 第103-104页 |
| ·ZnO薄膜拉曼光谱和PL谱表征 | 第104-105页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第104页 |
| ·PL谱分析 | 第104-105页 |
| ·ZnO薄膜生长条件的优化 | 第105-116页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜结构的影响 | 第106-109页 |
| ·生长氧压对ZnO薄膜质量的影响 | 第109-111页 |
| ·退火氧压对ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第111-115页 |
| ·沉积时间对薄膜质量的影响 | 第115-116页 |
| ·ZnO薄膜的输运性质研究 | 第116-130页 |
| ·ZnO薄膜中的LIV效应 | 第117-118页 |
| ·LIV信号研究 | 第118-124页 |
| ·生长温度对LIV信号的影响 | 第119-120页 |
| ·退火氧压对LIV信号峰值的影响 | 第120-122页 |
| ·退火氧压对LIV信号响应时间的影响 | 第122-124页 |
| ·ZnO薄膜中高TCR的发现 | 第124-130页 |
| ·衬底温度对R-T曲线(TCR)的影响 | 第126-128页 |
| ·生长氧压对R-T曲线(TCR)的影响 | 第128-130页 |
| ·强激光对薄膜结构稳定性的影响 | 第130-131页 |
| ·本章小结 | 第131-134页 |
| 第五章 Zn_(1-x)Co_xO薄膜的LIV及其输运性质研究 | 第134-160页 |
| ·引言 | 第134-135页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO薄膜的制备 | 第135-139页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO多晶的合成 | 第135-136页 |
| ·晶格常数的计算 | 第136-138页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO薄膜的生长 | 第138-139页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO薄膜生长工艺的优化 | 第139-146页 |
| ·衬底温度及掺杂量对薄膜结构的影响 | 第139-141页 |
| ·退火氧压对薄膜结构的影响 | 第141-142页 |
| ·沉积氧压对薄膜结构的影响 | 第142-143页 |
| ·沉积时间对薄膜结构的影响 | 第143-146页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO薄膜中的LIV效应 | 第146-149页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO薄膜中Co掺杂对LIV效应的影响 | 第146-148页 |
| ·Z_(0.995)Co_(0.005)O薄膜厚度对LIV效应的影响 | 第148-149页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO薄膜中高TCR)的发现 | 第149-156页 |
| ·温度对R-T曲线(TCR)的影响 | 第150-153页 |
| ·衬底对R-T曲线(TCR)的影响 | 第153-154页 |
| ·掺杂量对R-T曲线(TCR)的影响 | 第154-155页 |
| ·氧压对R-T曲线的影响 | 第155-156页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO薄膜抗激光击打实验研究 | 第156-157页 |
| ·本章小结 | 第157-160页 |
| 第六章 Zn_(1-x)Ag_xO薄膜的LIV及其输运性质研究 | 第160-182页 |
| ·引言 | 第160-161页 |
| ·Zn_(1-x)Ag_xO薄膜的制备 | 第161-163页 |
| ·掺银ZnO多晶靶材的制备 | 第161-162页 |
| ·Zn_(1-x)Ag_xO薄膜的生长 | 第162-163页 |
| ·Zn_(1-x)Ag_xO薄膜生长工艺的优化 | 第163-169页 |
| ·衬底温度及掺杂量对薄膜结构的影响 | 第163-166页 |
| ·生长氧压对薄膜结构的影响 | 第166-167页 |
| ·退火氧压对薄膜质量的影响 | 第167-169页 |
| ·Zn_(1-x)Ag_xO薄膜中的LIV信号测量 | 第169-172页 |
| ·Zn_(1-x)Ag_xO薄膜中Ag掺杂量对LIV效应的影响 | 第169-171页 |
| ·Zn_(1-x)Ag_xO薄膜中Ag掺杂量对响应时间的影响 | 第171-172页 |
| ·Zn_(1-x)Ag-xO薄膜中高TCR的发现 | 第172-178页 |
| ·温度及掺杂量对R-T关系行为的影响 | 第172-178页 |
| ·退火氧压对R-T关系行为的影响 | 第178页 |
| ·Zn_(1-x)Ag_xO薄膜的抗激光击打实验研究 | 第178-180页 |
| ·本章小结 | 第180-182页 |
| 第七章 结论与展望 | 第182-185页 |
| ·论文的主要研究工作与重要结论 | 第182-183页 |
| ·论文工作的主要创新点 | 第183页 |
| ·未来工作的展望 | 第183-185页 |
| 参考文献 | 第185-192页 |
| 博士期间发表的论文 | 第192-193页 |
| 致谢 | 第193页 |
