| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-43页 |
| ·铁电体简介 | 第14-15页 |
| ·铁电薄膜存储器 | 第15-19页 |
| ·铁电随机存储器(FRAM) | 第16-17页 |
| ·铁电场效应晶体管（FFET） | 第17页 |
| ·基于扫描探针的铁电薄膜存储器 | 第17-19页 |
| ·纳米尺度的铁电存储研究现状 | 第19-31页 |
| ·尺寸效应的研究 | 第19-21页 |
| ·纳米尺度的铁电畴极化反转研究 | 第21-27页 |
| ·纳米尺度的表面电荷研究 | 第27-28页 |
| ·新型铁电材料的研发 | 第28-29页 |
| ·存在的主要问题 | 第29-31页 |
| ·本论文研究的意义、思路及主要内容 | 第31-35页 |
| ·基于开尔文力显微镜的多晶BaTiO_3 薄膜表面电荷研究 | 第32-33页 |
| ·基于压电力显微镜的多晶PZT 系列薄膜铁电畴研究 | 第33-34页 |
| ·BiFeO_3 薄膜的Sol-gel 法制备和表面电学性质研究 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-43页 |
| 第二章 导电基底LAN1O_3薄膜的化学溶液法制备和表征 | 第43-49页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验部分 | 第44-45页 |
| ·主要试剂 | 第44页 |
| ·Si 基片的准备 | 第44页 |
| ·导电基底LaNiO_3 薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·仪器表征 | 第45页 |
| ·结果与讨论 | 第45页 |
| ·LaNiO_3 薄膜的晶体结构 | 第45页 |
| ·LaNiO_3 薄膜的表面形貌 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第三章 BATIO_3薄膜的制备及其表面注入电荷的KFM 研究 | 第49-70页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·KFM 观测表面电荷的原理 | 第50-52页 |
| ·实验部分 | 第52-54页 |
| ·主要试剂 | 第52页 |
| ·BaTiO_3 薄膜的制备 | 第52-53页 |
| ·仪器表征 | 第53页 |
| ·极化态的构筑 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-66页 |
| ·XRD、SEM 及表面形貌的原子力表征 | 第54-55页 |
| ·表面电荷随极化电压的变化规律 | 第55-61页 |
| ·注入电荷的保持行为 | 第61-65页 |
| ·KFM 的扫描过程对注入电荷的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 与路径有关的异常电荷注入 | 第70-81页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·异常电荷的发现及其规律 | 第70-75页 |
| ·异常电荷的基本机制 | 第75-76页 |
| ·异常电荷的基本机制的验证 | 第76-79页 |
| ·本章小节及意义 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 第五章 PZT 多晶薄膜的制备及其铁电畴的PFM 研究 | 第81-114页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·实验部分 | 第82-84页 |
| ·主要试剂 | 第82-83页 |
| ·PZT 薄膜的制备 | 第83页 |
| ·仪器表征 | 第83-84页 |
| ·PTO 薄膜的XRD 和SEM 表征 | 第84页 |
| ·XRD 结果分析 | 第84页 |
| ·SEM 结果分析 | 第84页 |
| ·PFM 的铁电畴成像原理 | 第84-86页 |
| ·PTO 薄膜的畴结构及PFM 测试振幅的影响 | 第86-94页 |
| ·PTO 薄膜的畴结构 | 第86-87页 |
| ·测试交流电振幅对分辨率的影响 | 第87-90页 |
| ·测试交流电振幅对畴取向的影响 | 第90-94页 |
| ·反平行的异常畴反转 | 第94-104页 |
| ·反平行的异常畴反转现象 | 第94-101页 |
| ·异常畴反转的规律 | 第101-103页 |
| ·异常畴反转的机制解释 | 第103页 |
| ·结论及意义 | 第103-104页 |
| ·ZR 掺杂对PTO 薄膜的影响 | 第104-108页 |
| ·Zr 掺杂对PTO 薄膜结构的影响 | 第104-105页 |
| ·Zr 掺杂对PTO 薄膜颗粒度的影响 | 第105-106页 |
| ·Zr 掺杂对PTO 薄膜畴结构的的影响 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-114页 |
| 第六章 BIFEO_3薄膜的SOL-GEL 法制备和表面电学性质研究 | 第114-129页 |
| ·引言 | 第114-115页 |
| ·实验部分 | 第115-117页 |
| ·主要试剂 | 第115页 |
| ·BiFeO_3 薄膜的制备 | 第115-116页 |
| ·仪器表征 | 第116-117页 |
| ·结果与讨论 | 第117-125页 |
| ·BiFeO_3 干凝胶的TG-DTA 分析 | 第117-118页 |
| ·BiFeO_3 薄膜的XRD 结构分析 | 第118-119页 |
| ·BiFeO_3 薄膜的Raman 分析 | 第119-121页 |
| ·BiFeO_3 薄膜的XPS 分析 | 第121-123页 |
| ·BiFeO_3 薄膜的表面电学性质研究 | 第123-125页 |
| ·本章小结 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-129页 |
| 第七章 结论与展望 | 第129-136页 |
| ·主要结论 | 第129-132页 |
| ·原创性的工作 | 第132页 |
| ·不足与展望 | 第132-136页 |
| 攻读博士学位期间完成论文和获奖 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138页 |
