氯化物化学气相沉积法制备立方碳化硅涂层
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.1.1 .聚变堆第一壁材料 | 第10-12页 |
| 1.1.2 .碳化硅功能涂层材料 | 第12-13页 |
| 1.2 立方碳化硅陶瓷材料 | 第13-16页 |
| 1.2.1.3 C-SiC晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2.3 C-SiC的性质 | 第14-16页 |
| 1.3 立方碳化硅涂层的研究现状 | 第16-20页 |
| 1.3.1 .第一壁涂层的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.3.2 .SiC涂层的CVD制备及前驱体 | 第17-19页 |
| 1.3.3 .SiC涂层的结构与性能 | 第19-20页 |
| 1.4 论文工作的提出与主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 涂层的制备与表征 | 第21-34页 |
| 2.1 化学气相沉积设备及原理 | 第21-28页 |
| 2.1.1 .CVD设备构造及特性 | 第21-23页 |
| 2.1.2 .CVD生长过程分析 | 第23-28页 |
| 2.2 实验设计与工艺 | 第28-31页 |
| 2.2.1 .实验原材料及其参数 | 第28-29页 |
| 2.2.2 .沉积工艺条件、流程及技术路线 | 第29-31页 |
| 2.3 测试与表征方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 .物相结构分析 | 第31-32页 |
| 2.3.2 .择优取向分析 | 第32页 |
| 2.3.3 .显微结构分析 | 第32-33页 |
| 2.3.4 .化学组成分析 | 第33-34页 |
| 第3章 化学气相沉积制备SiC涂层 | 第34-62页 |
| 3.1 择优取向 | 第34-43页 |
| 3.1.1 .反应室压力对择优取向的影响 | 第34-38页 |
| 3.1.2 .碳/硅摩尔比对择优取向的影响 | 第38-40页 |
| 3.1.3 .碳源种类对择优取向的影响 | 第40-43页 |
| 3.2 显微结构 | 第43-47页 |
| 3.2.1 .反应室压力对显微结构的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.2 .碳/硅摩尔比对显微结构的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.3 .碳源种类对显微结构的影响 | 第46-47页 |
| 3.3 结晶性 | 第47-53页 |
| 3.3.1 .反应室压力对结晶性的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.2 .碳/硅摩尔比对结晶性的影响 | 第48-52页 |
| 3.3.3 .碳源种类对结晶性的影响 | 第52-53页 |
| 3.4 沉积速率 | 第53-61页 |
| 3.4.1 .反应室压力对沉积速率的影响 | 第53-55页 |
| 3.4.2 .碳/硅摩尔比对沉积速率的影响 | 第55-57页 |
| 3.4.3 .碳源种类对沉积速率的影响 | 第57-59页 |
| 3.4.4 .沉积速率的决定性因素 | 第59-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 SiC涂层生长机理研究 | 第62-77页 |
| 4.1 择优取向的形成机制 | 第62-66页 |
| 4.1.1 .多晶体的取向性 | 第62-64页 |
| 4.1.2 .<110>择优取向的形成 | 第64-66页 |
| 4.2 显微结构及缺陷的形成机制 | 第66-72页 |
| 4.2.1 .显微结构与沉积速率的关系 | 第66-71页 |
| 4.2.2 .SiC中缺陷的形成 | 第71-72页 |
| 4.3 择优取向与显微结构间的联系 | 第72-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第5章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 攻读硕士学位期间发表相关科研成果 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
