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二维纳米材料的可控合成及其磁电输运行为研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第13-51页
    1.1 引言第13-15页
    1.2 二维材料的合成进展第15-25页
        1.2.1 固相法策略第17-19页
        1.2.2 液相法策略第19-22页
        1.2.3 气相法策略第22-25页
    1.3 二维材料的磁电性能研究进展第25-32页
        1.3.1 二维材料的电学性能第25-26页
        1.3.2 二维材料的磁学性能第26-29页
        1.3.3 二维材料的磁电性能第29-32页
    1.4 二维材料的电子结构调制第32-39页
        1.4.1 物理调控策略第32-35页
        1.4.2 化学调控策略第35-39页
    1.5 本论文的选题背景和研究内容第39-43页
    参考文献第43-51页
第二章 1T'-MoS_2纳米片:非常规超导性能第51-67页
    2.1 引言第51-52页
    2.2 实验部分第52-54页
        2.2.1 材料的制备第52-53页
        2.2.2 表征手段第53-54页
    2.3 结构表征第54-60页
        2.3.1 1T'-MoS_2纳米片的合成第54-57页
        2.3.2 1T'-MoX_2尺寸的相调控第57-60页
    2.4 超导性能研究第60-63页
        2.4.1 1T'-MoS_2纳米片的输运测试第60-61页
        2.4.2 1T'-MoS_2纳米片的超导各向异性第61-62页
        2.4.3 1T'-MoS_2纳米片的非常规超导行为第62-63页
    2.5 本章小结第63-65页
    参考文献第65-67页
第三章 2H-TaS_2纳米片:缺陷增强超导性能第67-83页
    3.1 引言第67-68页
    3.2 实验部分第68-69页
        3.2.1 材料的制备第68页
        3.2.2 表征手段第68-69页
    3.3 分析与讨论第69-78页
        3.3.1 单层2H-TaS_2的结构表征第69-72页
        3.3.2 单层2H-TaS_2的超导性能第72-74页
        3.3.3 单层2H-TaS_2的缺陷增强超导性能第74-78页
    3.4 本章小结第78-79页
    参考文献第79-83页
第四章 超顺磁石墨烯:室温低场负磁阻性能第83-97页
    4.1 引言第83-84页
    4.2 实验部分第84-85页
        4.2.1 材料的制备第84页
        4.2.2 表征手段第84-85页
    4.3 讨论与分析第85-93页
        4.3.1 结构表征第86-88页
        4.3.2 磁结构表征第88-90页
        4.3.3 磁电输运性能测试第90-91页
        4.3.4 磁性来源的理论解释第91-93页
        4.3.5 磁电输运的机理研究第93页
    4.4 本章小结第93-95页
    参考文献第95-97页
第五章 非层状Te纳米片:厚度调制的电学性能第97-113页
    5.1 引言第97-98页
    5.2 实验部分第98-99页
        5.2.1 材料的制备第98页
        5.2.2 表征手段第98-99页
    5.3 结构表征第99-104页
        5.3.1 非层状Te纳米片的合成第99-101页
        5.3.2 非层状Te纳米片的结构表征第101-103页
        5.3.3 非层状Te纳米片的化学表征第103-104页
    5.4 非层状Te纳米片的电学性能测试第104-108页
        5.4.1 非层状Te纳米片的光电响应性能第104-106页
        5.4.2 非层状Te纳米片厚度相关的光电响应性能第106-107页
        5.4.3 厚度调制光电响应性能的机理解释第107-108页
    5.5 非层状Te纳米片的磁阻行为测试第108-109页
    5.6 本章小结第109-111页
    参考文献第111-113页
第六章 总结与展望第113-117页
    6.1 论文特色与创新点第113-114页
    6.2 工作展望第114-117页
攻读博士学位期间发表的学术论文与所获奖项第117-119页
致谢第119-120页

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