摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-51页 |
1.1 引言 | 第13-15页 |
1.2 二维材料的合成进展 | 第15-25页 |
1.2.1 固相法策略 | 第17-19页 |
1.2.2 液相法策略 | 第19-22页 |
1.2.3 气相法策略 | 第22-25页 |
1.3 二维材料的磁电性能研究进展 | 第25-32页 |
1.3.1 二维材料的电学性能 | 第25-26页 |
1.3.2 二维材料的磁学性能 | 第26-29页 |
1.3.3 二维材料的磁电性能 | 第29-32页 |
1.4 二维材料的电子结构调制 | 第32-39页 |
1.4.1 物理调控策略 | 第32-35页 |
1.4.2 化学调控策略 | 第35-39页 |
1.5 本论文的选题背景和研究内容 | 第39-43页 |
参考文献 | 第43-51页 |
第二章 1T'-MoS_2纳米片:非常规超导性能 | 第51-67页 |
2.1 引言 | 第51-52页 |
2.2 实验部分 | 第52-54页 |
2.2.1 材料的制备 | 第52-53页 |
2.2.2 表征手段 | 第53-54页 |
2.3 结构表征 | 第54-60页 |
2.3.1 1T'-MoS_2纳米片的合成 | 第54-57页 |
2.3.2 1T'-MoX_2尺寸的相调控 | 第57-60页 |
2.4 超导性能研究 | 第60-63页 |
2.4.1 1T'-MoS_2纳米片的输运测试 | 第60-61页 |
2.4.2 1T'-MoS_2纳米片的超导各向异性 | 第61-62页 |
2.4.3 1T'-MoS_2纳米片的非常规超导行为 | 第62-63页 |
2.5 本章小结 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-67页 |
第三章 2H-TaS_2纳米片:缺陷增强超导性能 | 第67-83页 |
3.1 引言 | 第67-68页 |
3.2 实验部分 | 第68-69页 |
3.2.1 材料的制备 | 第68页 |
3.2.2 表征手段 | 第68-69页 |
3.3 分析与讨论 | 第69-78页 |
3.3.1 单层2H-TaS_2的结构表征 | 第69-72页 |
3.3.2 单层2H-TaS_2的超导性能 | 第72-74页 |
3.3.3 单层2H-TaS_2的缺陷增强超导性能 | 第74-78页 |
3.4 本章小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-83页 |
第四章 超顺磁石墨烯:室温低场负磁阻性能 | 第83-97页 |
4.1 引言 | 第83-84页 |
4.2 实验部分 | 第84-85页 |
4.2.1 材料的制备 | 第84页 |
4.2.2 表征手段 | 第84-85页 |
4.3 讨论与分析 | 第85-93页 |
4.3.1 结构表征 | 第86-88页 |
4.3.2 磁结构表征 | 第88-90页 |
4.3.3 磁电输运性能测试 | 第90-91页 |
4.3.4 磁性来源的理论解释 | 第91-93页 |
4.3.5 磁电输运的机理研究 | 第93页 |
4.4 本章小结 | 第93-95页 |
参考文献 | 第95-97页 |
第五章 非层状Te纳米片:厚度调制的电学性能 | 第97-113页 |
5.1 引言 | 第97-98页 |
5.2 实验部分 | 第98-99页 |
5.2.1 材料的制备 | 第98页 |
5.2.2 表征手段 | 第98-99页 |
5.3 结构表征 | 第99-104页 |
5.3.1 非层状Te纳米片的合成 | 第99-101页 |
5.3.2 非层状Te纳米片的结构表征 | 第101-103页 |
5.3.3 非层状Te纳米片的化学表征 | 第103-104页 |
5.4 非层状Te纳米片的电学性能测试 | 第104-108页 |
5.4.1 非层状Te纳米片的光电响应性能 | 第104-106页 |
5.4.2 非层状Te纳米片厚度相关的光电响应性能 | 第106-107页 |
5.4.3 厚度调制光电响应性能的机理解释 | 第107-108页 |
5.5 非层状Te纳米片的磁阻行为测试 | 第108-109页 |
5.6 本章小结 | 第109-111页 |
参考文献 | 第111-113页 |
第六章 总结与展望 | 第113-117页 |
6.1 论文特色与创新点 | 第113-114页 |
6.2 工作展望 | 第114-117页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文与所获奖项 | 第117-119页 |
致谢 | 第119-120页 |