| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 半导体光电催化简介 | 第11-15页 |
| 1.2.1 半导体催化反应的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 半导体催化反应的类型 | 第12-13页 |
| 1.2.3 常见的光阳极材料 | 第13-15页 |
| 1.3 BiVO_4 光阳极材料的研究进展 | 第15-24页 |
| 1.3.1 BiVO_4 光阳极材料的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.3.2 BiVO_4 光阳极材料的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3.3 提高BiVO_4 光阳极性能的途径 | 第18-24页 |
| 1.4 本论文的选题意义及研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 BiVO_4 光阳极的制备及优化 | 第26-34页 |
| 2.1 前言 | 第26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-29页 |
| 2.2.1 主要化学试剂 | 第26-27页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第27页 |
| 2.2.3 BiVO_4 光阳极的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 材料表征 | 第28页 |
| 2.2.5 光电化学性能测试 | 第28-29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-33页 |
| 2.3.1 前驱体溶液中PVA含量的优化 | 第29-30页 |
| 2.3.2 BiVO_4 光阳极旋涂层数的优化 | 第30-32页 |
| 2.3.3 BiVO_4 光阳极煅烧温度的优化 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 g-C_3N_4/Ag/BiVO_4 光阳极的制备及其光电性能的研究 | 第34-50页 |
| 3.1 前言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-38页 |
| 3.2.1 主要化学试剂 | 第35页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第35-36页 |
| 3.2.3 g-C_3N_4/Ag/BiVO_4 光阳极的制备 | 第36-37页 |
| 3.2.4 材料表征 | 第37页 |
| 3.2.5 光电化学性能测试 | 第37-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-48页 |
| 3.3.1 BiVO_4 光阳极的表征结果分析 | 第38-44页 |
| 3.3.2 BiVO_4 光阳极的光电性能研究 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 Ni掺杂的BiVO_4 光阳极的制备及其光电性能的研究 | 第50-62页 |
| 4.1 前言 | 第50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.1 主要化学试剂 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第51页 |
| 4.2.3 Ni-BiVO_4 光阳极制备 | 第51-52页 |
| 4.2.4 材料表征 | 第52页 |
| 4.2.5 光电化学性能测试 | 第52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-61页 |
| 4.3.1 BiVO_4 光阳极的表征结果分析 | 第52-56页 |
| 4.3.2 BiVO_4 光阳极的光电性能研究 | 第56-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 硕士期间参与发表的文章 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
