| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第10-12页 |
| 1.2 磁随机存储器(MRAM)和磁隧道结(MTJ) | 第12-15页 |
| 1.3 Co_2FeAl:具有半金属性的Heusler合金 | 第15-18页 |
| 1.4 磁各向异性 | 第18-20页 |
| 第二章 Co_2FeAl的制备方法与表征手段 | 第20-35页 |
| 2.1 分子束外延(MBE) | 第20-23页 |
| 2.2 自旋角分辨光电子能谱(SARPES) | 第23-27页 |
| 2.2.1 ARPES的基本原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 3D Micro-Mott自旋探测器的基本原理 | 第24-27页 |
| 2.3 磁光克尔效应(MOKE) | 第27-31页 |
| 2.3.1 纵向磁光克尔效应的基本原理 | 第27-29页 |
| 2.3.2 克尔旋转角的计算 | 第29-31页 |
| 2.4 其他表征手段 | 第31-35页 |
| 2.4.1 反射高能电子衍射(RHEED) | 第31-33页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| 2.4.3 原子力显微镜(AFM) | 第34-35页 |
| 第三章 Co_2FeAl超薄薄膜的制备和表征 | 第35-41页 |
| 3.1 利用MBE在GaAs(001)上外延生长Co_2FeAl | 第35-39页 |
| 3.1.1 束源蒸发速率的标定 | 第35-37页 |
| 3.1.2 适宜生长温度的确定 | 第37-39页 |
| 3.2 后退火的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 AFM和XRD测量结果 | 第40-41页 |
| 第四章 Co_2FeAl薄膜厚度依赖的自旋极化率与磁各向异性 | 第41-51页 |
| 4.1 不同厚度Co_2FeAl超薄薄膜的自旋极化率 | 第41-43页 |
| 4.2 MOKE测量结果 | 第43-46页 |
| 4.3 磁各向异性能中加入局域化的第三项 | 第46-49页 |
| 4.4 交错磁滞回线的解释 | 第49-51页 |
| 第五章 结论与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
