基于缺陷工程的碳纳米管结构与电学性能可逆调控
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 碳纳米管及其研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 碳纳米材料 | 第13-15页 |
| 1.2.2 碳管结构及性质 | 第15页 |
| 1.2.3 碳管电子器件研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 缺陷工程技术发展现状 | 第17-21页 |
| 1.4 TEM-STM技术 | 第21-30页 |
| 1.4.1 TEM-STM技术的发展 | 第21-25页 |
| 1.4.2 TEM-STM的应用 | 第25-30页 |
| 1.5 选题内容及依据 | 第30-32页 |
| 第二章 实验系统及准备工作 | 第32-40页 |
| 2.1 原位加热实验系统介绍 | 第32-33页 |
| 2.2 TEM-STM实验系统介绍 | 第33-35页 |
| 2.3 探针的制备 | 第35-38页 |
| 2.3.1 电化学腐蚀制备探针 | 第35-37页 |
| 2.3.2 焦耳热清洁探针尖端 | 第37-38页 |
| 2.4 样品的准备 | 第38-40页 |
| 第三章 碳纳米管微观结构的可逆转变 | 第40-53页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验部分 | 第41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 3.3.1 碳纳米管微观结构的记忆效应 | 第41-45页 |
| 3.3.2 碳纳米管微观结构发生可逆转变的条件 | 第45-48页 |
| 3.3.3 碳纳米管微观结构发生可逆转变多次循环 | 第48-51页 |
| 3.4 总结 | 第51-53页 |
| 第四章 碳纳米管电学性能的可逆调节 | 第53-59页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 实验部分 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-57页 |
| 4.3.1 相同扫描电压下单根碳管电阻的可逆调节 | 第55-56页 |
| 4.3.2 不同扫描电压下单根碳管电阻的可逆调节 | 第56-57页 |
| 4.4 总结 | 第57-59页 |
| 第五章 单根碳管场发射性能的可逆调节 | 第59-71页 |
| 5.1 引言 | 第59-63页 |
| 5.1.1 场发射基本理论 | 第59-61页 |
| 5.1.2 碳纳米管场发射研究现状 | 第61-63页 |
| 5.2 实验部分 | 第63-64页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第64-70页 |
| 5.3.1 单根碳管场发射开启电压的计算 | 第64-66页 |
| 5.3.2 单根碳管场发射性能的可逆调节 | 第66-70页 |
| 5.4 总结 | 第70-71页 |
| 第六章 缺陷工程技术应用拓展 | 第71-75页 |
| 6.1 引言 | 第71-72页 |
| 6.2 多根碳纳米管微观结构与转变 | 第72-73页 |
| 6.3 其他碳材料中微观结构的转变 | 第73-74页 |
| 6.4 总结 | 第74-75页 |
| 第七章 总结和展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 攻读学位期间取得的学术成果 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
